Filtry
Joule-class 940-nm diode laser bars for millisecond pulse applications
BH - Optika, masery a lasery
- 2015 •
- Jx •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
Serial-parallel IGBT connection method based on overvoltage measurement
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2016 •
- Jx •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
Spectral Line Width of the Current-Tunable Lasers on the Base of InAsSbP at Low Temperature.
CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
- 2002 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
ABSOLUTE DISTANCE MEASUREMENTS WITH TUNABLE SEMICONDUCTOR LASER
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Residual Reflectivity of Amplification Media for Extended-Cavity Laser
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2002 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Polovodičové lasery pro metrologii a telekomunikace
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Practical education of semiconductor laser frequency stabilization by linear absorption
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Device for education of frequency stabilization of semiconductor laser by linear absorption
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Design and Stabilization of the Extended-cavity Semiconductor Laser.
BH - Optika, masery a lasery
- 2001 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
The Spectral Linewidth of Tunable Semiconductor InAsSb/InAsSbP Lasers Emitting at 3.2-3.6 .mu.m (2800-3100 cm -1 ).
CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
- 2001 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
- 1 - 10 z 12 808