Studium optoelektronických vlastností hybridních heterostruktur.
Cíle projektu
Unikátní vlastnosti ZnO a jednoduchost přípravy jeho nanostruktur činí tento materiál velmi atraktivním pro řadu optoelektronických aplikací. Pro plné využití potenciálu ZnO je nutné vyřešit jeden ze zásadních problémů: připravit vysoce kvalitní usměrňující přechod. Neexistence ZnO s p-typem elektrické vodivosti zvýrazňuje důležitost studia hybridních heteropřechodů. Jednou z klíčových otázek v těchto heteropřechodech je porozumění mechanizmů transportu náboje. Naším cílem je systematicky analyzovat transportní mechanizmy v hybridních heteropřechodech tvořených jednotlivými nanotyčinkami ZnO nebo jejich poli a GaN(SiC) substrátem s vodivostí typu p. Cíle projektu představují výzvu s řadou potenciálních aplikací, zejména ve světlo emitujících součástkách, fotodetektorech, a solárních článcích.
Klíčová slova
Heterojunctionscharge transportelectroluminescenceinterfaceszinc oxide
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 21 (SGA0201700001)
Hlavní účastníci
Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
17-00546S
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Study of the optoelectronic properties of hybrid heterojunction.
Anotace anglicky
Unique properties of ZnO and the ease of the growth of its nanostructures make this material extremely attractive for a variety of optoelectronic applications. To fully exploit the potential of ZnO, there is one essential problem which must be solved: the preparation of a high-quality rectifying junction. The lack of p-type electrical conductivity in ZnO emphasizes the importance of the study of hybrid heterojunctions. One of the key issues in these heterojunctions is to understand the charge transport mechanism. Our goal is to systematically analyze the charge transport mechanism in hybrid heterojunctions formed by a single ZnO nanorod or the array of nanorods and p-type GaN(SiC) substrate. Project goals present a considerable challenge with a wide range of potential applications, particularly in light-emitting devices, photodetectors and solar cells.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Cíle projektu byly splněny. Byly získány originální výsledky, které byly publikovány v kvalitních časopisech. Na řešení projektu se významně podíleli studenti. Finanční prostředky byly čerpány podle plánu a v souladu se zadávací dokumentací GAČR.
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2017
Ukončení řešení
31. 12. 2019
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
10. 4. 2019
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP20-GA0-GA-U/02:1
Datum dodání záznamu
23. 7. 2020
Finance
Celkové uznané náklady
3 404 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
3 266 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
138 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
3 404 tis. Kč
Statní podpora
3 266 tis. Kč
95%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Doba řešení
01. 01. 2017 - 31. 12. 2019