X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F04%3A00010934" target="_blank" >RIV/00216224:14310/04:00010934 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers

Original language description

We have studied nitrogen-doped silicon wafers (001) using triple-axis high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space map determines the type of dislocation loops and fromcross section we can determine their radius and concentration. These parameters were combined with the results from infrared absorption spectroscopy method.

Czech name

Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem legovaných křemíkových deskách připravených Czochralského metodou

Czech description

Použitím rentgenové difrakce s vysokým rozlišením (HRXRD) jsme studovali dusíkem dopované křemíkové desky (001). Mapy rozložení intenzity v reciprokém prostoru od shluků defektů, vrstevných chyb a dislokačních smyček byly modelovány použitím Krivoglazovyteorie a kontinuálního modelu deformačního pole defektu. Dobré shody teorie s experimentálními daty bylo dosaženo pro dislokační smyčky. Symetrie naměřených map reciprokého prostoru určují typ dislokačních smyček a z radiálního řezu mapou můžeme určit jejich poloměr a koncentraci. Tyto výsledky jsme porovnaly s výsledky infračervené absorpční spektroskopie.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

1

Pages from-to

53

Publisher name

TECON Scientific, s.r.o.

Place of publication

Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika

Event location

Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika

Event date

Jan 1, 2004

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—