X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00013724" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00013724 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/00216208:11320/05:00001615

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers

Original language description

We have studied nitrogen-doped silicon wafers from origin, middle and end of the ingot, annealed at low and high temperatures, using triple-axis high-resolution X-ray diffraction. The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space maps determines the type of dislocation loops and from cross sections we can obtain the radius and concentration of the loops. These parameters were combined with the results from selective etching and infrared absorption spectroscopy method.

Czech name

Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem leogovaných křemíkových deskaách připravených Czochralského metodou

Czech description

Studovali jsme dusíkem dopované křemíkové desky ze začátku, středu a konce ingotu, žíhané na nízké a vysoké teplotě. Použili jsme trojosý rentgenový difraktometr s vysokým rozlišením. Rozložení intensity v reciprokém prostoru od shluků vakancí, vrstevných chyb a dislokačních smyček jsme modelovali použitím Krivoglazovy teorie a kontinualní model deformačního pole defektu. Dobrá shoda teorie s experimentálními daty nastává pro model dislokačních smyček. Typ dislokačních smyček lze určit ze symetrie naměřených map reciprokého prostoru a z rezu techto map můžeme určit poloměr a koncentraci smyček. Tyto parametry bylo doplněny výsledky ze selektivního leptání a infračervené absorpční spektroskopie.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

J. Phys. D: Appl. Phys.

ISSN

0022-3727

e-ISSN

—

Volume of the periodical

2005

Issue of the periodical within the volume

38

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

6

Pages from-to

"A105"-"A110"

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—