Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00013607" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00013607 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging

Original language description

The method called rocking-curve imaging (RCI) has recently been developed to visualize lattice imperfections in large crystals such as semiconductor wafers with high spatial resolution. The method is based on a combination of X-ray rocking-curve analysisand digital X-ray diffraction topography. In this article, an extension of the method is proposed by which dislocation densities in largescale samples (semiconductor wafer crystals) can be quantified and their variation across the sample surface determined in an instrumentally simple way. Results from a nearly dislocation-free S-doped InP crystal and a semi-insulating GaAs are presented; both display a clearly non-random distribution of dislocations.

Czech name

Analýza distribuce a Burgersových vektorů dislokací v polovodičových deskách zobrazením rocking-křivek

Czech description

Nedávno jsme vypracovali metodu 'zobrazování rocking-křivkami' (RCI), která s velkým prostorovým rozlišením umožňuje zobrazení nedokonalostí krystalové mříže ve velkých krystalech, jako jsou polovodičové desky.Metoda je založena na kombinaci analýzy rtgrocking křivek a digitální rtg difrakční topografie. V tomto článku navrhujeme rozšíření této metody, které umožní kvantifikovat hustotu dislokací a její distribuci na povrchu krystalu. Prezentujeme výsledky z téměř bezdislokačních S-dopovaných InP a z GaAs krystalů, na nichž je vidět nenáhodná distribuce dislokací.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

J. Appl. Crystallography

ISSN

0021-8898

e-ISSN

—

Volume of the periodical

38

Issue of the periodical within the volume

1

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

6

Pages from-to

91-96

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—