X-ray diffuse scattering from stacking faults in Czochralski silicon

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F06%3A00016658" target="_blank" >RIV/00216224:14310/06:00016658 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

X-ray diffuse scattering from stacking faults in Czochralski silicon

Original language description

High resolution x-ray diffraction has been used to measure the reciprocal space maps of intensity distribution from the scattering on defects in silicon wafers after annealing processes. The displacement field around stacking faults and dislocation loopshas been calculated using the Burgers theory of elasticity. From these calculations a reciprocal space map of x-ray diffuse scattered intensity has been simulated. The type and size of the defects can be determined from a comparison of measured with simulated maps. The type of defects has been determined from the symmetry of measured reciprocal space maps, where higher intensity streaks corresponding to planar defects in {1 1 1} planes have been observed. Using the width of these higher intensity streaks and comparing measured and simulated maps, the radius of stacking faults with the Burgers vector a/3[1 1 1] in {1 1 1} planes was found to be 0.3-0.5 micrometers.

Czech name

Rtg difúzní rozptyl od vrstevných chyb v CZ Si

Czech description

Pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením byly v reciprokém prostoru naměřeny mapy rozložení rozptylu na defektech v Si deskách po žíhání. K výpočtu pole výchylek v okolí vrstevných chyb a dislokačních smyček byla použita Burgersova teorie elasticity. Díky těmto výpočtům byly provedeny simulace intenzity rtg difúzního rozptylu. Porovnáním naměřených a nasimulových map lze určit velikost a typ defektu. Typ defektu byl určen ze symetrie naměřených map, ve kterých byly pozorovány proužky s vyšší intenzitouodpovídající rovinným defektům v rovinách (1 1 1). Díky šířce těchto proužků a porovnáním měření a simulaci jsme určili poloměr vrstevných chyb s Burgerovým vektorem a/3[1 1 1] v rovinách {1 1 1} v rozmezí 0,3-0,5 mikrometrů.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Semicond. Sci. Technol.

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Volume of the periodical

21

Issue of the periodical within the volume

3

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

6

Pages from-to

352-357

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—