Scanning near-field optical microscopy in semiconductor research
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU44150" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU44150 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Scanning near-field optical microscopy in semiconductor research
Original language description
Exploration of optical properties of materials and optical characterization of structure defects at the nanometer scale was impossible until recently due to the diffraction limit of light. With the invention of Scanning near-field optical microscopy (SNOM) the spatial resolution at the 50-100 nm level using visible or near infrared light is now possible.This review focuses on some applications of SNOM techniques of nondestructive, non-contact spectroscopic investigation of the structures.Throughout theereview, weight is placed on how SNOM goes together with existing material characterization techniques, as well as how quantitative results can be obtained from SNOM measurements.
Czech name
Použití rastrovací optické mikroskopie v blízkém poli při výzkumu polovodičů
Czech description
Využití optických vlastností materiálů a optických charakteristik nanodefektů struktury nebylo do nedávna možné a to v důsledku difrakční meze světla. S objevem SNOM je nyní možné dosáhnout rozlišení 50-100 nm. Tento přehled zaměřuje pozornost na některéaplikace SNOM v nedestruktivním bezkontaktním sapektroskopickém měření stuktur.Mimo materiálových charakteritik ukazuje, jaké kvnatitativní výsledky je možné se SNOM dosáhnout.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Physics of low-dimensional structures
ISSN
0204-3467
e-ISSN
—
Volume of the periodical
2004
Issue of the periodical within the volume
1/2
Country of publishing house
RU - RUSSIAN FEDERATION
Number of pages
7
Pages from-to
47-53
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—