All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Diode Model Parameters Extraction

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46127" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46127 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Diode Model Parameters Extraction

  • Original language description

    The contribution examines use of ISE-TCAD device simulation tools and the Star-HSPICE optimization tools to extract diode model parameters. The individual steps included in DESSIS diode simulation, INSPECT I-V electrical characteristics selection, HSPICEinput data formatting, model parameters optimization and model evaluation are analysed and described. The extraction methodology using DESSIS simulated data as real (measured) electrical characteristics and HSPICE optimization procedures is proposed annd applied to find the parameter values of the HSPICE diode model.

  • Czech name

    Identifikace parametrů modelu diody

  • Czech description

    Příspěvek popisuje využití simulačních prostředků ISE-TCAD a optimalizačních prostředků elektrického simulátoru Star-HSPICE pro identifikaci parametrů diodového modelu. Jsou analyzovány a popsány jednotlivé kroky zahrnující simulaci diody strukturním simulátorem DESSIS, analýza a výběr I-V elektrických charakteristik modulem INSPECT, formatování vstupních dat pro HSPICE, optimalizaci modelových parametrů a vyhodnocení modelu. Navržená metoda extrakce modelových parametrů je použita pro identifikaci paraametrů zabudovaného modelu diody.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/GA102%2F03%2F0720" target="_blank" >GA102/03/0720: Model parameters extraction for semiconductor structures</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2004

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    Socrates Workshop 2004. Intensive Training Programme in Electronic

  • ISBN

    80-214-2819-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    6

  • Pages from-to

    55-60

  • Publisher name

    NEUVEDEN

  • Place of publication

    NEUVEDEN

  • Event location

    Technological Institute of Crete, Chania, Greece

  • Event date

    Sep 14, 2004

  • Type of event by nationality

    CST - Celostátní akce

  • UT code for WoS article