SiNx and SiO2 as passivation layers for high grade solar cells.

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54040" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54040 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
SiNx and SiO2 as passivation layers for high grade solar cells.
Original language description
In the semiconductor and photovoltaic aplication, the surface passivation is a very important process for adjustment of silicon surface properties. It brings reduction of recombination centres that arise from previous technology steps. The surface recombination is decreased and the effective lifetime is increased. For passivation layers deposition the more methods are possible. The most important method is PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) and LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Depositioon). In this paper, the passivation layers are deposited by means of reactive magnetron sputtering.
Czech name
Vrstvy SiNx a SiO2 jako pasivace pro solární články.
Czech description
Pro zlepšení povrchových vlastností křemíku v polovodičových a fotovoltaických aplikacích je důležitá povrchová pasivace. Jejím přínosem je redukce rekombinačních center, vzniklých v předchozích technologických operacích. Díky pasivaci klesá povrchová rekombinace a roste doba života minoritních nosičů náboje. Pro depozici pasivačních vrstev je možné použití více metod. K nejznámějším patří PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) a LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition). V tomto článkuje popisována depozice pasivačních vrstev pomocí reaktivního magnetronového naprašování.

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)