Short-channel effects simulation
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU65047" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU65047 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Simulace jevů krátkého kanálu
Original language description
Prahové napětí tranzistorů MOSFET s krátkým kanálem se zmenšuje jestliže zvětšujeme napětí kolektoru a tento jev krátkého kanálu označujeme jako DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Příspěvek se zabývá TCAD (Technology Computer Aided Design) simulací tohoto jevu. Je popsán postup pro určení redukce prahového napětí a pro zvětšení podprahového proudu vyvolaných DIBL. Tento postup zahrnuje celkem 5 experímentů pro 5 vybraných hodnot předpětí kolektoru a jednotlivý experiment zahrnuje generaci strukturyprogramem MDRAW, simulaci struktury programem DESSIS a extrakci elektrických charakteristik programem INSPECT. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISE.
Czech name
Simulace jevů krátkého kanálu
Czech description
Prahové napětí tranzistorů MOSFET s krátkým kanálem se zmenšuje jestliže zvětšujeme napětí kolektoru a tento jev krátkého kanálu označujeme jako DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Příspěvek se zabývá TCAD (Technology Computer Aided Design) simulací tohoto jevu. Je popsán postup pro určení redukce prahového napětí a pro zvětšení podprahového proudu vyvolaných DIBL. Tento postup zahrnuje celkem 5 experímentů pro 5 vybraných hodnot předpětí kolektoru a jednotlivý experiment zahrnuje generaci strukturyprogramem MDRAW, simulaci struktury programem DESSIS a extrakci elektrických charakteristik programem INSPECT. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISE.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích
ISBN
80-214-3342-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
98-101
Publisher name
Nakl. Novotný
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Dec 12, 2006
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—