SEM and AFM study of thin film SiC-AlN solid solution morphology

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU102932" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU102932 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

SEM a AFM studie morfologie tenkých vrstev tuhého roztoku SiC-AlN

Original language description

Cílem této studie bylo jednak vytvoření tenkých vrstev SiC/(SiC)(1-x)(AlN)x sublimační epitaxí polykrystalického zdroje (SiC)(1-x)(AlN)x a jednak jejich charakterizace pomocí skenovací elektronové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Pro vznik vrstev byly definovány optimální podmínky sublimačního procesu. Vzniklé struktury mohou být použity jako substráty pro polovodičové součástky na bázi nitridů, tj. GaN, AlN a jejich slitin, pro výrobu tranzistorů s vysokou elektronovou mobilitou, či světelnýchzdrojů (LED a laserových diod) vyzařujících v modré a ultrafialové oblasti spektra. Výsledky analýzy pomocí SEM a AFM ukázaly, že již při teplotě 2300 K je možné pomocí sublimační epitaxe vytvořit tenké vrstvy nitridu hliníku a jeho tuhých roztoků.

Czech name

SEM a AFM studie morfologie tenkých vrstev tuhého roztoku SiC-AlN

Czech description

Cílem této studie bylo jednak vytvoření tenkých vrstev SiC/(SiC)(1-x)(AlN)x sublimační epitaxí polykrystalického zdroje (SiC)(1-x)(AlN)x a jednak jejich charakterizace pomocí skenovací elektronové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Pro vznik vrstev byly definovány optimální podmínky sublimačního procesu. Vzniklé struktury mohou být použity jako substráty pro polovodičové součástky na bázi nitridů, tj. GaN, AlN a jejich slitin, pro výrobu tranzistorů s vysokou elektronovou mobilitou, či světelnýchzdrojů (LED a laserových diod) vyzařujících v modré a ultrafialové oblasti spektra. Výsledky analýzy pomocí SEM a AFM ukázaly, že již při teplotě 2300 K je možné pomocí sublimační epitaxe vytvořit tenké vrstvy nitridu hliníku a jeho tuhých roztoků.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Publication year

2013

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Jemná mechanika a optika

ISSN

0447-6441

e-ISSN

—

Volume of the periodical

58

Issue of the periodical within the volume

3

Country of publishing house

CZ - CZECH REPUBLIC

Number of pages

3

Pages from-to

75-77

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—