All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Characterization and isolation of monocrystalline silicon solar cell defects at microscale level

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APU127868" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PU127868 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

    <a href="http://elektrorevue.cz/cz/clanky/teoreticka-elektrotechnika/0/charakterizace-a-izolace-defektu-monokrystalickych-kremikovych-solarnich-clanku-na-mikroskopicke-urovni/" target="_blank" >http://elektrorevue.cz/cz/clanky/teoreticka-elektrotechnika/0/charakterizace-a-izolace-defektu-monokrystalickych-kremikovych-solarnich-clanku-na-mikroskopicke-urovni/</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Charakterizace a izolace defektů monokrystalických křemíkových solárních článků na mikroskopické úrovni

  • Original language description

    Během výroby monokrystalických solárních článků dochází k nechtěné tvorbě defektů a nedokonalostí na mi- krostrukturální úrovni. I přes malé rozměry mohou mít tyto ne- dokonalosti zásadní vliv na chování celého solárního článku. Lokalizace a následná izolace defektů na mikroskopické úrovni je hlavní náplní této práce. Článek je rozdělen na 2 části. První část popisuje použité detekční a lokalizační metody, které zahr- nují měření voltampérových (VA) charakteristik, skenovací mi- kroskopie v blízkém poli (SNOM), skenovací elektronová mi- kroskopie (SEM) a elektroluminiscence (EL). Druhá část práce se zabývá izolací defektu od okolní struktury odprašováním ma- teriálu za pomocí fokusovaného svazku iontů (FIB). Detekce de- fektů je v prvním kroku realizována změřením VA charakteris- tiky v závěrném směru. K lokalizaci defektní oblasti je využito faktu, že po připojení závěrného napětí se začne generovat zá- ření, jehož vlnová délka je z části i ve viditelném spektru, a tedy je možné ho zachytit i lidským okem. Po hrubém odhadu místa defektní oblasti je použit SNOM v kombinaci s fotonásobičem, který dokáže poskytnout přesnou polohu defektu na mikrosko- pické úrovni. Izolace povrchového defektu je provedena odpra- šováním materiálu fokusovaným svazkem iontů galia uvnitř dual-beam systému (FIB-SEM) Tescan LYRA3. Izolováním po- vrchového defektu je možné zamezit protékání svodového proudu skrz něj a tím zlepšit vlastnosti solárního článku. V pří- padě zkoumaného vzorku došlo ke snížení svodového proudu v závěrném směru přibližně o 2 řády po odizolování defektu.

  • Czech name

    Charakterizace a izolace defektů monokrystalických křemíkových solárních článků na mikroskopické úrovni

  • Czech description

    Během výroby monokrystalických solárních článků dochází k nechtěné tvorbě defektů a nedokonalostí na mi- krostrukturální úrovni. I přes malé rozměry mohou mít tyto ne- dokonalosti zásadní vliv na chování celého solárního článku. Lokalizace a následná izolace defektů na mikroskopické úrovni je hlavní náplní této práce. Článek je rozdělen na 2 části. První část popisuje použité detekční a lokalizační metody, které zahr- nují měření voltampérových (VA) charakteristik, skenovací mi- kroskopie v blízkém poli (SNOM), skenovací elektronová mi- kroskopie (SEM) a elektroluminiscence (EL). Druhá část práce se zabývá izolací defektu od okolní struktury odprašováním ma- teriálu za pomocí fokusovaného svazku iontů (FIB). Detekce de- fektů je v prvním kroku realizována změřením VA charakteris- tiky v závěrném směru. K lokalizaci defektní oblasti je využito faktu, že po připojení závěrného napětí se začne generovat zá- ření, jehož vlnová délka je z části i ve viditelném spektru, a tedy je možné ho zachytit i lidským okem. Po hrubém odhadu místa defektní oblasti je použit SNOM v kombinaci s fotonásobičem, který dokáže poskytnout přesnou polohu defektu na mikrosko- pické úrovni. Izolace povrchového defektu je provedena odpra- šováním materiálu fokusovaným svazkem iontů galia uvnitř dual-beam systému (FIB-SEM) Tescan LYRA3. Izolováním po- vrchového defektu je možné zamezit protékání svodového proudu skrz něj a tím zlepšit vlastnosti solárního článku. V pří- padě zkoumaného vzorku došlo ke snížení svodového proudu v závěrném směru přibližně o 2 řády po odizolování defektu.

Classification

  • Type

    J<sub>ost</sub> - Miscellaneous article in a specialist periodical

  • CEP classification

  • OECD FORD branch

    10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Result continuities

  • Project

  • Continuities

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Others

  • Publication year

    2018

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Name of the periodical

    Elektrorevue - Internetový časopis (http://www.elektrorevue.cz)

  • ISSN

    1213-1539

  • e-ISSN

  • Volume of the periodical

    20

  • Issue of the periodical within the volume

    1

  • Country of publishing house

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Number of pages

    5

  • Pages from-to

    14-18

  • UT code for WoS article

  • EID of the result in the Scopus database