Al2O3/HfO2 heterogeneous capacitor on a chip

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F19%3APR32629" target="_blank" >RIV/00216305:26220/19:PR32629 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=145" target="_blank" >http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=145</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Al2O3/HfO2 heterogenní kapacitor na čipu
Original language description
Jedná se o planární kapacitor s heterogenní strukturou dielektrika o nominální tloušťce 10 nm. Dielektrikum je tvořeno střídavým vrstvením Al2O3 a HfO2 o tloušťkách ~1 nm, nanesených pomocí depozice atomárních vrstev (ALD). Kapacitory jsou umístěny na křemíkovém substrátu-čipu tvořícím spodní elektrodu. Horní elektroda je tvořena 250 nm napařeného zlata. Tato elektroda je vytvořena metodou Lift-Off. Kapacitory s proměnnou plochou jsou sdruženy na čipu v podobě testovacího pole.
Czech name
Al2O3/HfO2 heterogenní kapacitor na čipu
Czech description
Jedná se o planární kapacitor s heterogenní strukturou dielektrika o nominální tloušťce 10 nm. Dielektrikum je tvořeno střídavým vrstvením Al2O3 a HfO2 o tloušťkách ~1 nm, nanesených pomocí depozice atomárních vrstev (ALD). Kapacitory jsou umístěny na křemíkovém substrátu-čipu tvořícím spodní elektrodu. Horní elektroda je tvořena 250 nm napařeného zlata. Tato elektroda je vytvořena metodou Lift-Off. Kapacitory s proměnnou plochou jsou sdruženy na čipu v podobě testovacího pole.

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2019
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Internal product ID
CAPOC P01
Numerical identification
161309
Technical parameters
Funkční vzorek byl na základě návrhu zkonstruován a ověřen. Je využíván na pracovišti řešitele LabSensNano (VUT v Brně, Technická 3058/10, 616 00 Brno, Česká republika). Velikost čipu: 12 x 12 mm Velikost kondenzátorů: průměr 200 ÷ 3000 µm Tloušťka dielektrika: 10 nm Kapacita: ~1x10-12 F.µm-2 Svodový proud ~1x10-9 A.cm-2
Economical parameters
Vývoj a realizace 300 tis. Kč, know-how 100 tis. Kč
Application category by cost
—
Owner IČO
—
Owner name
Ústav mikroelektroniky
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek
Web page
http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=145

Similar results(10)