The method of preparation of aluminum nitride thin films by molecular layering

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F20%3APA21626" target="_blank" >RIV/00216305:26220/20:PA21626 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
ruština
Original language name
Способ получения тонких пленок нитрида алюминия в режиме молекулярного наслаивания
Original language description
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.
Czech name
—
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/LO1401" target="_blank" >LO1401: Interdisciplinary Research of Wireless Technologies</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2020
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Patent/design ID
2018139626/05(065797)
Publisher
RU001 -
Publisher name
Federal Service for Intellectual Property, Patents and Trademarks (ROSPATENT)
Place of publication
Moscow
Publication country
RU - RUSSIAN FEDERATION
Date of acceptance
Feb 2, 2020
Owner name
SICLAB Limited Liability Company, Makhachkala, st. M. Yaragskogo 75, Dagestan Republic, 367000, Russia
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Similar results(10)