Resonators with AlN-based piezoelectric layers
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F20%3APR34124" target="_blank" >RIV/00216305:26620/20:PR34124 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://webzor.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=147" target="_blank" >http://webzor.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=147</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Rezonátory s piezoelektrickými vrstvami na bázi AlN
Original language description
Rezonátory s piezoelektrickými vrstvami na bázi AlN byly vyrobeny pomocí jednoduchého výrobního procesu. Sestávají z nosníků vytvořených pomocí vícevrstvé depozice asistovaným iontovým svazkem. Preferenčně (001) orientované tenké vrstvy AlN mají výjimečně vysoké piezoelektrické koeficienty (7,33 ± 0,08) pC∙N−1. Výroba rezonátorů byla dokončena pomocí pouhých tří litografických kroků, za použití konvenčního křemíkového substrátu s plně kontrolovatelnou tloušťky nosníku, přičemž na konci nosníku bylo implementováno závaží. Vzhledem k tomu, že depozice AlN byla prováděna při teplotě ≈ 330 °C, lze tento proces implementovat do standardní technologie CMOS, stejně tak i do následného zpracování waferu při výrobě MEMS. Výchylky a rezonanční frekvence rezonátorů byly charakterizovány pomocí laserové interferometrie a vibrační stolice. Na Obrázek 1 je zobrazeno schéma v několika pohledech. Na Obrázek 2 je zobrazen výrobní postup pro rezonátory s piezoelektrickými vrstvami na bázi AlN. Na Obrázek 3 pak vyrobené struktury rezonátoru umístěné v pouzdře typu LCC68. Dále na Obrázek 4 je zobrazeno interferenční měření a na Obrázek 5 pak naměřená výchylka při rezonanční frekvenci 2520 Hz pro různé hodnoty VAC.
Czech name
Rezonátory s piezoelektrickými vrstvami na bázi AlN
Czech description
Rezonátory s piezoelektrickými vrstvami na bázi AlN byly vyrobeny pomocí jednoduchého výrobního procesu. Sestávají z nosníků vytvořených pomocí vícevrstvé depozice asistovaným iontovým svazkem. Preferenčně (001) orientované tenké vrstvy AlN mají výjimečně vysoké piezoelektrické koeficienty (7,33 ± 0,08) pC∙N−1. Výroba rezonátorů byla dokončena pomocí pouhých tří litografických kroků, za použití konvenčního křemíkového substrátu s plně kontrolovatelnou tloušťky nosníku, přičemž na konci nosníku bylo implementováno závaží. Vzhledem k tomu, že depozice AlN byla prováděna při teplotě ≈ 330 °C, lze tento proces implementovat do standardní technologie CMOS, stejně tak i do následného zpracování waferu při výrobě MEMS. Výchylky a rezonanční frekvence rezonátorů byly charakterizovány pomocí laserové interferometrie a vibrační stolice. Na Obrázek 1 je zobrazeno schéma v několika pohledech. Na Obrázek 2 je zobrazen výrobní postup pro rezonátory s piezoelektrickými vrstvami na bázi AlN. Na Obrázek 3 pak vyrobené struktury rezonátoru umístěné v pouzdře typu LCC68. Dále na Obrázek 4 je zobrazeno interferenční měření a na Obrázek 5 pak naměřená výchylka při rezonanční frekvenci 2520 Hz pro různé hodnoty VAC.
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GJ18-06498Y" target="_blank" >GJ18-06498Y: Modulation of graphene physical properties due to controlled induced mechanical strain</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2020
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Internal product ID
AlN Rezonátor
Numerical identification
167300
Technical parameters
Parametry struktury: Rozměr čipu: 6x6 mm Velikost nosníků: 2x4 mm Počet nosníků: 2 Rozměr plochy s piezoelektrickou vrstvou: 1x1,5 mm Rozměr závaží: 1,5x2x0,5 mm
Economical parameters
Data nejsou dostupná.
Application category by cost
—
Owner IČO
—
Owner name
Chytré nanonástroje
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
http://webzor.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=147