HFVR/SOI

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F11%3A%230000029" target="_blank" >RIV/26821532:_____/11:#0000029 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
HFVR/SOI
Original language description
Prototype (sample) ? V001/TA01010078 - of advanced Silicon-On-Insulator (SOI) structure for High-Frequency-Voltage-Regulators. SOI wafer diameter 150 mm, substrate heavily doped by Phosphorus (<0.002 ohmcm) thickness 525 um, BOX 620 nm, device layer thickness 1.5 um, device layer thickness variability +/- 0.3 um.
Czech name
—
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2011
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
V001/TA01010078 (W660S00)
Numerical identification
—
Technical parameters
SOI: Substrát: průměr 150mm (100) Si:P (<2 mohmcm) 525 um, BOX 620 +/- 10 nm, aktivní vrstva Si:B (100) 1.5 um +/- 0.3um
Economical parameters
Jednotková cena SOI desky pod 100 USD s potenciálem zvýšení výroby, exportu i zisku (plánované uplatnění výsledku od roku 2013).
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—

Similar results(10)