I3T/SOI<110>

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F11%3A%230000030" target="_blank" >RIV/26821532:_____/11:#0000030 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
I3T/SOI<110>
Original language description
Prototype (sample) of advanced Silicon-On-Insulator (SOI) structure based on <110> substrate. SOI wafer diameter 150 mm, thickness 525 or 625 um, crystallographic orientation <110>, BOX 620 nm, device layer thickness 3 um, device layer thickness variability +/- 0.5 um.
Czech name
—
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2011
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
I3T/SOI<110>
Numerical identification
—
Technical parameters
SOI: Substrát: průměr 150mm <110> Si:B 525 or 625 um, BOX 620 +/- 10 nm, aktivní vrstva Si:B (100) 3 um +/- 0.5um.
Economical parameters
Jednotková cena SOI desky pod 60 USD s potenciálem zvýšení výroby, exportu i zisku (plánované uplatnění výsledku od roku 2012-13).
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—

Similar results(10)