Technology for manufacturing of SOI wafers with gettering layer with parameters requested by TIGBT process
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F15%3A%230000090" target="_blank" >RIV/26821532:_____/15:#0000090 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Technologie výroby SOI substrátu s getrační vrstvou a parametry požadovanými pro TIGBT proces
Original language description
Ověřená technologie W761xxx (TH01010419-2015V005) zahrnuje výrobu desek pro bonding (device a handle wafer), včetně přípravy utopené vrstvy oxidu (BOX) a getrační vrstvy, a výrobu desek SOI. Procesní flow (ověřená technologie) bylo potvrzeno 14. 12. 2015reportem ze systému řízení výroby PROMIS (ProdCheck). Technologie bude využita pro přípravu SOI substrátů pro novou generaci TIGBT od ledna 2016 s komercionalizací v závěru projektu (2018).
Czech name
Technologie výroby SOI substrátu s getrační vrstvou a parametry požadovanými pro TIGBT proces
Czech description
Ověřená technologie W761xxx (TH01010419-2015V005) zahrnuje výrobu desek pro bonding (device a handle wafer), včetně přípravy utopené vrstvy oxidu (BOX) a getrační vrstvy, a výrobu desek SOI. Procesní flow (ověřená technologie) bylo potvrzeno 14. 12. 2015reportem ze systému řízení výroby PROMIS (ProdCheck). Technologie bude využita pro přípravu SOI substrátů pro novou generaci TIGBT od ledna 2016 s komercionalizací v závěru projektu (2018).
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
JJ - Other materials
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Development of Novel Technologies for Trench Insulated Gate Bipolar Transistors (TIGBT) Manufacturing</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2015
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TH01010419-2015V005
Numerical identification
—
Technical parameters
Ověřené parametry technologie: Gettering Silicon-On-Insulator pro TIGBT, polovodičová deska: průměr 150 mm, tloušťka substrátu: 525 um (CZ Si <100>, volitelný dopant i elektrický měrný odpor, tloušťka device vrstvy volitelná v intervalu 100 - 130 um, variabilita tloušťky vrstvy max. +/- 1.5 um, tloušťka BOX 100 - 1000 nm (utopená vrstva termického SiO2), tloušťka getrační vrstvy 650 +/- 20 um (nedopovaný polykrystalický křemík). Výsledek využije ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o. (IČ 26821532) ve vlastní výrobě. Odpovědná osoba: Michal Lorenc, ON SEMICONDUCTOR, 1. máje 2230, 7561 61 Rožnov p.R., +420 571 754 507, michal.lorenc@onsemi.com.
Economical parameters
výrobní náklady max. 105 USD při skutečné průměrné výtěžnosti 81%. Ověřená výrobní kapacita: 250 desek/týden.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—