Manufacturing process for 1200V TIGBT on SOI
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F16%3AN0000006" target="_blank" >RIV/26821532:_____/16:N0000006 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Výrobní postup pro 1200V TIGBT na SOI
Original language description
Celý výrobní postup součástek TIGBT sestává z následujících produkčních celků: Výroba SOI substrátů, Výroba MOSFET struktury na přední straně křemíkového substrátu typu SOI. Zpracování zadní strany – odstranění „Handle wafer“. Měření elektrických parametrů součástek.
Czech name
Výrobní postup pro 1200V TIGBT na SOI
Czech description
Celý výrobní postup součástek TIGBT sestává z následujících produkčních celků: Výroba SOI substrátů, Výroba MOSFET struktury na přední straně křemíkového substrátu typu SOI. Zpracování zadní strany – odstranění „Handle wafer“. Měření elektrických parametrů součástek.
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Development of Novel Technologies for Trench Insulated Gate Bipolar Transistors (TIGBT) Manufacturing</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2016
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
CR20160300344
Numerical identification
CR20160300344
Technical parameters
Výroba TIGBT/SOI součástky se závěrným napětím 1200V s možným efektivním rozšířením na 600V a 1350V (např. NGTB40N120S3WG - viz. onsemi.com)
Economical parameters
Vyvolaná investice do nové polovodičové technologie v ČR >100 mil. Kč, výrobní kapacita > 1000 (desek průměru 150 mm)/týden.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
www.onsemi.com