Manufacturing process for 1200V TIGBT with reduced gate charge (QG) on SOI substrate

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000003" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000003 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Výrobní postup pro 1200V TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG) na SOI substrátu

Original language description

Výrobní postup pro 1200V TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG) na SOI substrátu. Způsobilost ověřené technologie je doložena funkčním vzorkem. Postup je způsobilý pro realizaci výroby pro součástky 600V TIGBT. Technologický proces kvalifikován korporátní Change Action Board (CAB) s id CR20160600079 (risk production is released for WT6SDF40N653DAN00D). K výrobě je také využit vlastní SOI substrát (další výsledek projektu).

Czech name

Výrobní postup pro 1200V TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG) na SOI substrátu

Czech description

Výrobní postup pro 1200V TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG) na SOI substrátu. Způsobilost ověřené technologie je doložena funkčním vzorkem. Postup je způsobilý pro realizaci výroby pro součástky 600V TIGBT. Technologický proces kvalifikován korporátní Change Action Board (CAB) s id CR20160600079 (risk production is released for WT6SDF40N653DAN00D). K výrobě je také využit vlastní SOI substrát (další výsledek projektu).

Type

Z_tech - Verified technology

CEP classification

—

OECD FORD branch

20201 - Electrical and electronic engineering

Project

<a href="/en/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Development of Novel Technologies for Trench Insulated Gate Bipolar Transistors (TIGBT) Manufacturing</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2017

Confidentiality

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID

WT6SDF40N653DAN00D

Numerical identification

TH01010419-V12

Technical parameters

Výrobní postup pro 1200V TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG) na SOI substrátu. Způsobilost ověřené technologie je doložena funkčním vzorkem. Postup je způsobilý pro realizaci výroby pro součástky 600V TIGBT. Technologický proces kvalifikován korporátní Change Action Board (CAB) s id CR20160600079 (risk production is released for WT6SDF40N653DAN00D). K výrobě je také využit vlastní SOI substrát (další výsledek projektu). S využitím 3DGBT aktivní buňky pro FSIII TIGBT lze realizovat součástku se zkratovou odolnosti, která má ve variantě L3 lepší trade off vztah mezi robustností, celkovými spínacími ztrátami a VCEon, než standardní FSIII TIGBT. Jedná se tak o součástku, která může dosáhnout lepší účinnosti, než standardní FSIII pokud bude požadována určitá míra zkratové odolnosti. Celý proces 3DGBT je jednoduše aplikovatelný do stávajícího FSIII TIGBT flow. Vlastní řešení díky použití SOI substrátu umožnilo snížit hradlový náboje (QG) o více než 30%.

Economical parameters

Výrobní cena: 205 USD/deska průměru 150 mm, kapacita: 25 - 100 desek průměru 150 mm týdně. Výsledek využije řešitel ve vlastní výrobní lince.

Application category by cost

—

Owner IČO

26821532

Owner name

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Owner country

CZ - CZECH REPUBLIC

Usage type

V - Výsledek je využíván vlastníkem

Licence fee requirement

—

Web page

—