Technology of manufacturing of TIGBT on SOI substrate
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F16%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/16:N0000004 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.onsemi.cz" target="_blank" >http://www.onsemi.cz</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Technologický postup výroby TIGBT na SOI substrátu
Original language description
Technologický postup výroby nové generace součástek TIGBT (FSIII) byl ve výrobní lince ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm kvalifikován interním postupem CAB (Change Approval Board) číslo změnového řízení CR20160300345 dne 29. 3. 2015. Kvalifikovaný výrobní postup je zaveden ve výrobním systému Promis pod označením WT6NDS120Axx. Ověřená technologie je obecně využitelná pro celou generaci součástek TIGBT (FSIII) s nutnou kvalifikací konkrétních výrobních postupů pro jednotlivé typy součástek.) Pro výrobu substrátů SOI pro TIGBT byly v roce 2016 schválený nové technologické postupy: ZKZ16/47: Kvalifikace nové technologie extrinsické getrace – multivrstevnaté struktury, ZKZ16/07 Kvalifikace procesu touch polishing na zařízení Strasbaugh 6DZ, ZKZ16/32 Kvalifikace procedury REWORK na operaci Bonding desek na SUSS bonder modul CL8.
Czech name
Technologický postup výroby TIGBT na SOI substrátu
Czech description
Technologický postup výroby nové generace součástek TIGBT (FSIII) byl ve výrobní lince ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm kvalifikován interním postupem CAB (Change Approval Board) číslo změnového řízení CR20160300345 dne 29. 3. 2015. Kvalifikovaný výrobní postup je zaveden ve výrobním systému Promis pod označením WT6NDS120Axx. Ověřená technologie je obecně využitelná pro celou generaci součástek TIGBT (FSIII) s nutnou kvalifikací konkrétních výrobních postupů pro jednotlivé typy součástek.) Pro výrobu substrátů SOI pro TIGBT byly v roce 2016 schválený nové technologické postupy: ZKZ16/47: Kvalifikace nové technologie extrinsické getrace – multivrstevnaté struktury, ZKZ16/07 Kvalifikace procesu touch polishing na zařízení Strasbaugh 6DZ, ZKZ16/32 Kvalifikace procedury REWORK na operaci Bonding desek na SUSS bonder modul CL8.
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Development of Novel Technologies for Trench Insulated Gate Bipolar Transistors (TIGBT) Manufacturing</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2016
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
CR20160300345
Numerical identification
TH01010419-2016V002
Technical parameters
CR20160300345 (9. 3. 2015): Kvalifikovaný výrobní postup WT6NDS120Axx, ZKZ16/47: Kvalifikace nové technologie extrinsické getrace – multivrstevnaté struktury, ZKZ16/07 Kvalifikace procesu touch polishing na zařízení Strasbaugh 6DZ, ZKZ16/32 Kvalifikace procedury REWORK na operaci Bonding desek na SUSS bonder modul CL8.
Economical parameters
Výrobní kapacita > 1000 (desek průměru 150 mm)/týden, jednotková cena desky (průměru 150 mm) se součástkami TIGBT < 300$
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
www.onsemi.cz