Technology for manufacturing of TIGBT devices with reduced gate charge (QG)
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000002" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000002 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Technologický postup výroby TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG)
Original language description
Procesní front-end flow 3DGBT FSIII/SOI na úrovni jednotlivých procesních kroků a receptů. Kromě 1200 V 3DGBT FSIII/SOI bude využito také pro sériovou výrobu 600 V FSII . . Technologie byla kvalifikována ve výrobní lince CZ4 v Rožnově p. R. a stala se součástí výrobního portfolia.
Czech name
Technologický postup výroby TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG)
Czech description
Procesní front-end flow 3DGBT FSIII/SOI na úrovni jednotlivých procesních kroků a receptů. Kromě 1200 V 3DGBT FSIII/SOI bude využito také pro sériovou výrobu 600 V FSII . . Technologie byla kvalifikována ve výrobní lince CZ4 v Rožnově p. R. a stala se součástí výrobního portfolia.
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Development of Novel Technologies for Trench Insulated Gate Bipolar Transistors (TIGBT) Manufacturing</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2017
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
CR20160600079
Numerical identification
TH01010419-V11
Technical parameters
Procesní front-end flow 3DGBT FSIII/SOI na úrovni jednotlivých procesních kroků a receptů. Kromě 1200 V 3DGBT FSIII/SOI bude využito také pro sériovou výrobu 600 V FSII . viz protokol o zavedení změny CR20160600079. Ověřeno sadou: RJ72388. S využitím 3DGBT aktivní buňky pro FSIII TIGBT lze realizovat součástku se zkratovou odolnosti, která má ve variantě L3 lepší trade off vztah mezi robustností, celkovými spínacími ztrátami a VCEon, než standardní FSIII TIGBT. Součástka může dosáhnout lepší účinnosti, než standardní FSIII, pokud bude požadována určitá míra zkratové odolnosti. Celý proces 3DGBT je jednoduše aplikovatelný do stávajícího FSIII TIGBT flow. Vlastní řešení díky použití SOI substrátu umožnilo snížit hradlový náboj (QG) o více než 30%. Vstupem procesu je vlastní polovodičový substrát SOI a výstupem vlastního procesu je křemíková deska průměru 150 mm (6") s polovodičovými součástkami.
Economical parameters
Průměr Si desky s čipy: 150 mm (6"). Substrát SOI. Výrobní cena: 205 USD/deska. Start-up kapacita ověřené technologie v Rožnově: 25 - 100 desek průměru 150 mm/týden. Výsledek využije řešitel ve vlastní výrobní lince.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—