Utility sample of final HEMT structure
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F16%3AN0000001" target="_blank" >RIV/26821532:_____/16:N0000001 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Funkční vzorek finální HEMT struktury
Original language description
Heteroepitaxní struktura je vytvořená pomocí MOCVD technologie na bórem dopovaném křemíkovém substrátu (111) s tloušťkou 1 mm a měrným odporem v rozsahu 5 – 50 ohm.cm (specifikace substrátu W754B00). Struktura se skládá z AlN nukleační vrstvy (1 nm nízkoteplotní AlN @800 °C, 260 nm vysokoteplotní AlN @1050 °C), přechodové AlGaN vrstvy s 30% Al o tloušťce 120 nm, uhlíkem dopované AlN(5nm)/AlGaN(25 nm) supermřížky o celkové tloušťce 3000 nm a koncentraci uhlíku 1e19 at/cm3, 150 nm tlustou C:GaN vrstvou s koncentrací uhlíku na úrovní 1E18 at/cm3, 7000 nm tlustou C:GaN vrstvou s koncentrací uhlíku na úrovní 1E19 at/cm3, 600 nm GaN kanálem s koncentrací uhlíku menší než 5E16 at/cm3, 15 nm tlustou AlGaN bariérovou vrstvou s 25% Al a SiN/AlN/SiN pasivační multi-vrstvou. Dvoudimenzionální elektronový plyn (2DEG) s vrstvovým odporem cca 400 – 500 ohm/sq vzniká na rozhraní GaN kanálu a AlGaN bariéry.
Czech name
Funkční vzorek finální HEMT struktury
Czech description
Heteroepitaxní struktura je vytvořená pomocí MOCVD technologie na bórem dopovaném křemíkovém substrátu (111) s tloušťkou 1 mm a měrným odporem v rozsahu 5 – 50 ohm.cm (specifikace substrátu W754B00). Struktura se skládá z AlN nukleační vrstvy (1 nm nízkoteplotní AlN @800 °C, 260 nm vysokoteplotní AlN @1050 °C), přechodové AlGaN vrstvy s 30% Al o tloušťce 120 nm, uhlíkem dopované AlN(5nm)/AlGaN(25 nm) supermřížky o celkové tloušťce 3000 nm a koncentraci uhlíku 1e19 at/cm3, 150 nm tlustou C:GaN vrstvou s koncentrací uhlíku na úrovní 1E18 at/cm3, 7000 nm tlustou C:GaN vrstvou s koncentrací uhlíku na úrovní 1E19 at/cm3, 600 nm GaN kanálem s koncentrací uhlíku menší než 5E16 at/cm3, 15 nm tlustou AlGaN bariérovou vrstvou s 25% Al a SiN/AlN/SiN pasivační multi-vrstvou. Dvoudimenzionální elektronový plyn (2DEG) s vrstvovým odporem cca 400 – 500 ohm/sq vzniká na rozhraní GaN kanálu a AlGaN bariéry.
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH01011284" target="_blank" >TH01011284: Novel Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2016
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TH01011284-2016V003
Numerical identification
TH01011284-2016V003
Technical parameters
Heteroepitaxní struktura HEMT Ga(Al)N/Si(<111>, 5-50 ohm.cm, 150 mm/1mm), Dvoudimenzionální elektronový plyn (2DEG) s vrstvovým odporem cca 400 – 500 ohm/sq vzniká na rozhraní GaN kanálu a AlGaN bariéry.
Economical parameters
Jednotková výrobní cena pod 500 USD..
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—