Epitaxial multilayer structure for GaN-based high electron mobility transistors and a transistor containing this structure
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00519848" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00519848 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307942.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307942.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Epitaxní vícevrstvá struktura pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů na bázi GaN a tranzistor obsahující tuto strukturu
Original language description
Epitaxní vícevrstvá polovodičová struktura vhodná pro využití v nitridových e-HEMT strukturách, která má vrstvu s elektronovým kanálem, sestávající z nedotovaného GaN, nad níž je bariérová vrstva přiléhající k elektronovému kanálu v nedotované GaN vrstvě. Bariérová vrstva je podle vynálezu tvořena kombinací vrstev binárních polovodičů AlN a GaN. Binární polovodiče a rozhraní mezi nimi tvoří účinnou bariéru zejména pro zpětnou difúzi Mg atomů z GaN krycí vrstvy do elektronového kanálu. Bariérová struktura přiléhá k elektronovému kanálu vždy AlN vrstvou, avšak seshora může být ukončena jak GaN vrstvou, tak vrstvou AlN. Bariéra může obsahovat jedinou nebo více dvojic GaN/AlN, může mít větší tloušťku než klasické bariéry tvořené AlGaN vrstvou. Několik horních GaN vrstev může být dotováno hořčíkem. Epitaxní vícevrstvá polovodičová struktura podle vynálezu je vhodná zejména pro tranzistor s elektronovým kanálem, který je bez přiloženého napětí zavřený.
Czech name
Epitaxní vícevrstvá struktura pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů na bázi GaN a tranzistor obsahující tuto strukturu
Czech description
Epitaxní vícevrstvá polovodičová struktura vhodná pro využití v nitridových e-HEMT strukturách, která má vrstvu s elektronovým kanálem, sestávající z nedotovaného GaN, nad níž je bariérová vrstva přiléhající k elektronovému kanálu v nedotované GaN vrstvě. Bariérová vrstva je podle vynálezu tvořena kombinací vrstev binárních polovodičů AlN a GaN. Binární polovodiče a rozhraní mezi nimi tvoří účinnou bariéru zejména pro zpětnou difúzi Mg atomů z GaN krycí vrstvy do elektronového kanálu. Bariérová struktura přiléhá k elektronovému kanálu vždy AlN vrstvou, avšak seshora může být ukončena jak GaN vrstvou, tak vrstvou AlN. Bariéra může obsahovat jedinou nebo více dvojic GaN/AlN, může mít větší tloušťku než klasické bariéry tvořené AlGaN vrstvou. Několik horních GaN vrstev může být dotováno hořčíkem. Epitaxní vícevrstvá polovodičová struktura podle vynálezu je vhodná zejména pro tranzistor s elektronovým kanálem, který je bez přiloženého napětí zavřený.
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
—
OECD FORD branch
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Novel semiconductor structures for advanced electronic applications</a><br>
Continuities
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Others
Publication year
2019
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
307942
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Jul 25, 2019
Owner name
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence