All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

The methodology for performing Xe Plasma FIB-SEM analyzes

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F16%3AN0000009" target="_blank" >RIV/26821532:_____/16:N0000009 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Metodika provádění analýz na zařízení Xe Plasma FIB-SEM

  • Original language description

    Metodika provádění analýz na zařízení Xe Plasma FIB-SEM byla shrnuta v pracovním postupu „12MON19412G: Obsluha elektronového mikroskopu s iontovým svazkem Plasma Xe FIB/SEM FERA3 TESCAN / Dual Beam FIB/SEM Work Instructions“ řízeném v korporátním systému AGILE ON Semiconductor. Vlastníkem dokumentu je Vladislav Hrachovec, verze A byla vydána 30. 12. 2016, rozsah dokumentu je 150 str. Řízená dokumentace zahrnuje popis metod, přípravy vzorků, návod k provádění analýzy a obsluze zařízení v rozsahu ověřené technologie úprav a vyhodnocování vzorků. Na instalovaném zařízení bylo uvedeným postupem v roce 2016 provedeno více než 300 standardních analýz s odpovídajícími dílčími zprávami v oblastech: FA (Failure Analysis – analýzy selhání), NPD (New Process Development – analýzy pro kvalifikace nových výrobních postupů), R&D (podpora vývoje nových materiálů a technologií). Výsledky byly bez výhrad akceptovány v souladu se standardy polovodičového průmyslu a normami jakosti ISO.

  • Czech name

    Metodika provádění analýz na zařízení Xe Plasma FIB-SEM

  • Czech description

    Metodika provádění analýz na zařízení Xe Plasma FIB-SEM byla shrnuta v pracovním postupu „12MON19412G: Obsluha elektronového mikroskopu s iontovým svazkem Plasma Xe FIB/SEM FERA3 TESCAN / Dual Beam FIB/SEM Work Instructions“ řízeném v korporátním systému AGILE ON Semiconductor. Vlastníkem dokumentu je Vladislav Hrachovec, verze A byla vydána 30. 12. 2016, rozsah dokumentu je 150 str. Řízená dokumentace zahrnuje popis metod, přípravy vzorků, návod k provádění analýzy a obsluze zařízení v rozsahu ověřené technologie úprav a vyhodnocování vzorků. Na instalovaném zařízení bylo uvedeným postupem v roce 2016 provedeno více než 300 standardních analýz s odpovídajícími dílčími zprávami v oblastech: FA (Failure Analysis – analýzy selhání), NPD (New Process Development – analýzy pro kvalifikace nových výrobních postupů), R&D (podpora vývoje nových materiálů a technologií). Výsledky byly bez výhrad akceptovány v souladu se standardy polovodičového průmyslu a normami jakosti ISO.

Classification

  • Type

    Z<sub>tech</sub> - Verified technology

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/TE01020233" target="_blank" >TE01020233: Advanced Microscopy and Spectroscopy Platform for Research and Development in Nano and Microtechnologies - AMISPEC</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2016

  • Confidentiality

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Data specific for result type

  • Internal product ID

    12MON19412G

  • Numerical identification

    TE01020233-2016V003

  • Technical parameters

    12MON19412G: Obsluha elektronového mikroskopu s iontovým svazkem Plasma Xe FIB/SEM FERA3 TESCAN / Dual Beam FIB/SEM Work Instructions“ řízeném v korporátním systému AGILE ON Semiconductor. Vlastníkem dokumentu je Vladislav Hrachovec, verze A byla vydána 30. 12. 2016, rozsah dokumentu je 150 str. Řízená dokumentace zahrnuje popis metod, přípravy vzorků, návod k provádění analýzy a obsluze zařízení v rozsahu ověřené technologie úprav a vyhodnocování vzorků.

  • Economical parameters

    Komplexní polovodičová platforma Plasma Xe FIB SEM má referenční hodnotu 30 mil. Kč. Počet standardních analýz polovodičových materiálů a součástek >300/rok.

  • Application category by cost

  • Owner IČO

    26821532

  • Owner name

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

  • Owner country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Usage type

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Licence fee requirement

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Web page