Substrates for heteroepitaxial crystal growth
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000008" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000008 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Substráty pro heteroepitaxní růst
Original language description
Technická zpráva id TH02010014-2017V004, 20 str. Úvod do požadavků na substráty, křemíkové substráty, optimalizaci tvaru susceptoru, význma elektrického měrného odporu desky, drsnost okraje desky, tloušťka desky, průměr desky. Alternativní substráty: SOI, poly AlN a Si desky s mezivrstvami. Tato zpráva je východiskem prodalší vývoj funkčních vzorků substrátů pro heteroepitaxní růst.
Czech name
Substráty pro heteroepitaxní růst
Czech description
Technická zpráva id TH02010014-2017V004, 20 str. Úvod do požadavků na substráty, křemíkové substráty, optimalizaci tvaru susceptoru, význma elektrického měrného odporu desky, drsnost okraje desky, tloušťka desky, průměr desky. Alternativní substráty: SOI, poly AlN a Si desky s mezivrstvami. Tato zpráva je východiskem prodalší vývoj funkčních vzorků substrátů pro heteroepitaxní růst.
Classification
Type
O - Miscellaneous
CEP classification
—
OECD FORD branch
20501 - Materials engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH01011284" target="_blank" >TH01011284: Novel Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2017
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.