Qualified technology for manufacturing of fast high voltage silicon rectifiers
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000004 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Ověřená technologie výroby rychlých vysokonapěťových křemíkových diod
Original language description
Kompletní výrobní postup v systému PROMIS, včetně kompletní elektrické charakterizace vyrobených funkčních vzorků. Výrobní postup vysokonapěťových diod sestává z 5-6 fotolitografických úrovní a s dalších návazných procesních kroků – mokré nebo suché leptání dielektrických, iontová implantace, vysokoteplotní oxidace, vysokoteplotní difúze, depozice dielektrických vrstev, depozice a leptání vrstvy metalizace. Výsledkem výrobního postupu je součástka tvořená difundovanými vrstvami dopantu v krystalografické mřížce křemíkové desky, dielektrickými vrstvami na povrchu křemíkové desky a vodivou vrstvou metalizace sloužící jako kontakt. Velkou výhodou výrobního procesu vysokonapěťových diod je flexibilita v možnosti použití modulu pro snižování doby života minoritních nosičů.
Czech name
Ověřená technologie výroby rychlých vysokonapěťových křemíkových diod
Czech description
Kompletní výrobní postup v systému PROMIS, včetně kompletní elektrické charakterizace vyrobených funkčních vzorků. Výrobní postup vysokonapěťových diod sestává z 5-6 fotolitografických úrovní a s dalších návazných procesních kroků – mokré nebo suché leptání dielektrických, iontová implantace, vysokoteplotní oxidace, vysokoteplotní difúze, depozice dielektrických vrstev, depozice a leptání vrstvy metalizace. Výsledkem výrobního postupu je součástka tvořená difundovanými vrstvami dopantu v krystalografické mřížce křemíkové desky, dielektrickými vrstvami na povrchu křemíkové desky a vodivou vrstvou metalizace sloužící jako kontakt. Velkou výhodou výrobního procesu vysokonapěťových diod je flexibilita v možnosti použití modulu pro snižování doby života minoritních nosičů.
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH03010006" target="_blank" >TH03010006: RandD of high voltage Si rectifiers for effective conversion of high current power</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TH03010006-V4
Numerical identification
—
Technical parameters
Kompletní výrobní postup v systému PROMIS, včetně kompletní elektrické charakterizace vyrobených funkčních vzorků. Výrobní postup vysokonapěťových diod sestává z 5-6 fotolitografických úrovní a s dalších návazných procesních kroků – mokré nebo suché leptání dielektrických, iontová implantace, vysokoteplotní oxidace, vysokoteplotní difúze, depozice dielektrických vrstev, depozice a leptání vrstvy metalizace. Výsledkem výrobního postupu je součástka tvořená difundovanými vrstvami dopantu v krystalografické mřížce křemíkové desky, dielektrickými vrstvami na povrchu křemíkové desky a vodivou vrstvou metalizace sloužící jako kontakt. Velkou výhodou výrobního procesu vysokonapěťových diod je flexibilita v možnosti použití modulu pro snižování doby života minoritních nosičů.
Economical parameters
Throughput min. 100 wpw.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—