Measuring the drain-to-source voltage of transistors based on nitride gallium in power converter circuits
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F17%3A43932882" target="_blank" >RIV/49777513:23220/17:43932882 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Měření průběhu napětí Uds tranzistorů na bázi nitridu gallia ve výkonových obvodech měničů
Original language description
Článek se zabývá výběrem vhodné napěťové osciloskopické sondy pro měření průběhu napětí Uds výkonových tranzistorů GaN E-HEMT (Enhancement - High Electron Mobility Tranzistor) osazených ve výkonových obvodech měničů. Úspěšnost měření je podmíněna znalostí parametrů tranzistoru, výkonového obvodu a obvodu řídicí elektrody. Napětí ve výkonovém obvodu (dosahující až 600 V) náš výběr omezuje na vysokonapěťové pasivní sondy. Tranzistory GaN E-HEMT umožňují rychlé spínání (trvající několik ns), tomu musí odpovídat doba odezvy měřicího systému. V závěru práce je diskutována nejistota měření.
Czech name
Měření průběhu napětí Uds tranzistorů na bázi nitridu gallia ve výkonových obvodech měničů
Czech description
Článek se zabývá výběrem vhodné napěťové osciloskopické sondy pro měření průběhu napětí Uds výkonových tranzistorů GaN E-HEMT (Enhancement - High Electron Mobility Tranzistor) osazených ve výkonových obvodech měničů. Úspěšnost měření je podmíněna znalostí parametrů tranzistoru, výkonového obvodu a obvodu řídicí elektrody. Napětí ve výkonovém obvodu (dosahující až 600 V) náš výběr omezuje na vysokonapěťové pasivní sondy. Tranzistory GaN E-HEMT umožňují rychlé spínání (trvající několik ns), tomu musí odpovídat doba odezvy měřicího systému. V závěru práce je diskutována nejistota měření.
Classification
Type
O - Miscellaneous
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
—
Continuities
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Others
Publication year
2017
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů