Novel quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F07%3A00000023" target="_blank" >RIV/49777513:23520/07:00000023 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Novel quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Original language description

In this work, a systematic investigation of reactive magnetron sputtering of hard quaternary Si-B-C-N materials has been carried out. The Si-B-C-N films were deposited on Si and SiC substrates by dc magnetron co sputtering using a single C-Si-B or B4C-Sitarget in nitrogen-argon gas mixtures. Elemental compositions of the films, their bonding structure, nanostructure, and mechanical, tribological and optical properties, together with their oxidation resistance in air, were controlled by the Si fractionin the magnetron target erosion area, the Ar fraction in the gas mixture, the rf induced negative substrate bias voltage and the substrate temperature. The energy and flux of ions bombarding the growing films were determined on the basis of the measureddischarge characteristics.

Czech name

Nové kvaternární Si-B-C-N vrstvy připravené reaktivním magnetronovým naprašováním

Czech description

Byl proveden systematický výzkum reaktivního magnetronového naprašování tvrdých kvaternárních Si-B-C-N materiálů. Si-B-C-N vrstvy byly deponovány na Si a SiC substráty rozprašováním C-Si-B nebo B4C-Si terče ve směsi dusíku a argonu. Prvkové složení vrstev, jejich vazebná struktura, nanostruktura, mechanické, tribologické a optické vlastnosti společně s oxidační odolností byly kontrolovány obsahem Si v erozní zóně terče, obsahem Ar ve výbojové směsi, záporným radiofrekvenčně indukovaným předpětím na substrátu a teplotou substrátu. Energie a tok iontů dopadajících na rostoucí vrstvy byly určeny z měřených výbojových charakteristik. Hmotnostní spektroskopie byla použita pro zjištění sl

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

BL - Plasma physics and discharge through gases

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

18th International Symposium on Plasma Chemistry

ISBN

978-4-9903773-2-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

1

Pages from-to

362-362

Publisher name

International Plasma Chemistry Society

Place of publication

Kyoto

Event location

Kyoto

Event date

Jan 1, 2007

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—