Deposition of thin multilayer a-Si:H/SiO2 by using PECVD for photovoltaic applications
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43917415" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43917415 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace
Original language description
V tomto článku bylo použito termické žíhání pro výrobu křemíkových nanostruktur s kontrolovanou velikostí z amorfních multivrstev a-Si:H/SiO2. Série multivrstev byly deponovány PECVD za použití SiH4 a N2O plynných prekurzorů. Vrstvy tvořené stejnými tloušťkami (20, 15, 10 a 5 nm) subvrstev a-Si:H a SiO2 byly připravené na substráty Corning glass a Si(100).
Czech name
Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace
Czech description
V tomto článku bylo použito termické žíhání pro výrobu křemíkových nanostruktur s kontrolovanou velikostí z amorfních multivrstev a-Si:H/SiO2. Série multivrstev byly deponovány PECVD za použití SiH4 a N2O plynných prekurzorů. Vrstvy tvořené stejnými tloušťkami (20, 15, 10 a 5 nm) subvrstev a-Si:H a SiO2 byly připravené na substráty Corning glass a Si(100).
Classification
Type
O - Miscellaneous
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centre of the New Technologies and Materials</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2012
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů