All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Spectral reflectometry of SiO2 thin films on the silicon wafers

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27350%2F08%3A00019683" target="_blank" >RIV/61989100:27350/08:00019683 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Spectral reflectometry of SiO2 thin films on the silicon wafers

  • Original language description

    An alternative method of the reflectance spectrum measurement of a thin film on a wafer is presented. The basic idea of this method is in replacing a standard measurement method employing a calibrated mirror with a two-step reflectance measurement methodusing both a thin-film structure and a bare wafer. This double comparative method can simply eliminate the unknown reflectance spectrum of the reference mirror. The method was successfully tested on a SiO2 thin film on different B- and P-doped Si substrates. The obtained reflectance spectra were compared with the theoretical model.

  • Czech name

    Měření spektrální odrazivosti tenkých vrstev SiO2 na křemíkových podložkách

  • Czech description

    Je prezentována alternativní metoda měření spektrální odrazivosti tenké vrstvy na substrátu. Základní myšlenkou této metody je nahrazení standardního měření, které používá kalibrované zrcadlo, měřením odrazivosti ve dvou krocích, a to struktury s tenkouvrstvou a holé podložky. Tato dvojnásobná srovnávací metoda dovoluje jednoduše eliminovat vliv neznámé spektrální odrazivosti referenčního zrcadla. Metoda byla úspěšně testována na tenké vrstvě SiO2 na různě dotovaných Si podložkách a získaná spektra odrazivosti byla porovnána s teoretickým modelem.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    BH - Optics, masers and lasers

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

  • Continuities

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2008

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    Development of Materials Science in Research and Education, Proceedings of the 18th Joint Seminar

  • ISBN

    978-80-254-0864-3

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    2

  • Pages from-to

  • Publisher name

    Czechoslovak Association for Crystal Growth (CSACG)

  • Place of publication

    Praha

  • Event location

    Hnanice

  • Event date

    Sep 2, 2008

  • Type of event by nationality

    EUR - Evropská akce

  • UT code for WoS article