Spectral reflectometry of SiO2 thin films on the silicon wafers
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27350%2F08%3A00019683" target="_blank" >RIV/61989100:27350/08:00019683 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Spectral reflectometry of SiO2 thin films on the silicon wafers
Original language description
An alternative method of the reflectance spectrum measurement of a thin film on a wafer is presented. The basic idea of this method is in replacing a standard measurement method employing a calibrated mirror with a two-step reflectance measurement methodusing both a thin-film structure and a bare wafer. This double comparative method can simply eliminate the unknown reflectance spectrum of the reference mirror. The method was successfully tested on a SiO2 thin film on different B- and P-doped Si substrates. The obtained reflectance spectra were compared with the theoretical model.
Czech name
Měření spektrální odrazivosti tenkých vrstev SiO2 na křemíkových podložkách
Czech description
Je prezentována alternativní metoda měření spektrální odrazivosti tenké vrstvy na substrátu. Základní myšlenkou této metody je nahrazení standardního měření, které používá kalibrované zrcadlo, měřením odrazivosti ve dvou krocích, a to struktury s tenkouvrstvou a holé podložky. Tato dvojnásobná srovnávací metoda dovoluje jednoduše eliminovat vliv neznámé spektrální odrazivosti referenčního zrcadla. Metoda byla úspěšně testována na tenké vrstvě SiO2 na různě dotovaných Si podložkách a získaná spektra odrazivosti byla porovnána s teoretickým modelem.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
BH - Optics, masers and lasers
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Development of Materials Science in Research and Education, Proceedings of the 18th Joint Seminar
ISBN
978-80-254-0864-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
2
Pages from-to
—
Publisher name
Czechoslovak Association for Crystal Growth (CSACG)
Place of publication
Praha
Event location
Hnanice
Event date
Sep 2, 2008
Type of event by nationality
EUR - Evropská akce
UT code for WoS article
—