Prediction of microstructure evolution of electroplated copper films

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27360%2F05%3A00013243" target="_blank" >RIV/61989100:27360/05:00013243 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Prediction of microstructure evolution of electroplated copper films

Original language description

In manufacturing Cu interconnects, the electroplating bath contains organic additives which promote the required plating quality. The as deposited nanocrystalline Cu films undergo a self annealing process to form a micronsized grain structure by abnormalgrain growth. Based on the experimental results, the previously proposed model for the observed abnormal grain growth published elsewhere was modified by accounting for high conductivity paths through neighboring connected large grains. The modified model shows excellent agreement with measured data and is capable of predicting the self annealing kinetics in the studied range of deposition and post-deposition conditions.

Czech name

Predikce vývoje mikrostruktury elektrochemicky nanášených vrstev mědi

Czech description

Při přípravě měděných spojů pro špičkové integrované obvody v mikroelektronice se používá elektrochemické lázně obsahující řadu organických přísad, které zlepšují kvalitu deponovaných vrstev. V Cu vrstvách probíhá bezprostředně po depozici samovolné žíhání jehož důsledkem je abnormální růst zrna z původních nanokrystalických rozměrů až po zrna o velikosti v řádu jednotek mikrometrů. Na základě nových experimentálních výsledků byl původní model abnormálního růstu zrna publikovaný autorem dříve upraven tak, aby zahrnoval pravděpodobnost vzniku dráhy, po níž se mohou volné nosiče náboje pohybovat ve struktuře s vysokou vodivostí. Výsledky takto upraveného modelu jsou ve velmi dobrém souhlasu s experimentálními výsledky a model je schopen předpovědět kinetiku samovolného žíhání v rámci studovaného intervalu parametrů.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JG - Metallurgy, metal materials

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GP101%2F03%2FP165" target="_blank" >GP101/03/P165: Microstructure evolution of electroplated copper thin films for on-chip interconnections near room temperature</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

The Elektrochemical Society Meeting Abstracts, Ma2005-02

ISBN

1091-8213

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

1

Pages from-to

582-582

Publisher name

The elektrochemical Society Meeting Abstracts

Place of publication

New Jersey

Event location

Los Angeles, USA

Event date

Oct 16, 2005

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—