All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105961" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105961 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection

  • Original language description

    InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and europium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall measurements. All layers exhibit the change of electrical conductivity from n to p at certain RE concentration in the melt.

  • Czech name

    Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření

  • Czech description

    Monokrystalické epitaxní vrstvy InP připravené na semiizolačních (InP:Fe) substrátech a substrátech s n-typem vodivosti (InP:Sn) byly pěstovány s přidáním ceria, tulia a europia do růstové taveniny. Vrstvy byly vyšetřovány pomocí nízkoteplotní fotoluminescenční spektroskopie a měřením C-V závislostí a teplotních závislostí Hallova jevu. Všechny vrstvy vykazují změnu typu elektrické vodivosti z n na p při určité koncentraci vzácných zemin v tavenině.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2004

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

  • ISBN

    0-7803-8535-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    4

  • Pages from-to

    247-250

  • Publisher name

    IEEE

  • Place of publication

    Piscataway

  • Event location

    Smolenice

  • Event date

    Oct 17, 2004

  • Type of event by nationality

    WRD - Celosvětová akce

  • UT code for WoS article