Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105961" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105961 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection
Original language description
InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and europium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall measurements. All layers exhibit the change of electrical conductivity from n to p at certain RE concentration in the melt.
Czech name
Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření
Czech description
Monokrystalické epitaxní vrstvy InP připravené na semiizolačních (InP:Fe) substrátech a substrátech s n-typem vodivosti (InP:Sn) byly pěstovány s přidáním ceria, tulia a europia do růstové taveniny. Vrstvy byly vyšetřovány pomocí nízkoteplotní fotoluminescenční spektroskopie a měřením C-V závislostí a teplotních závislostí Hallova jevu. Všechny vrstvy vykazují změnu typu elektrické vodivosti z n na p při určité koncentraci vzácných zemin v tavenině.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
0-7803-8535-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
247-250
Publisher name
IEEE
Place of publication
Piscataway
Event location
Smolenice
Event date
Oct 17, 2004
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—