All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Photoluminescence properties of GaSb epitaxial layers passivated in hydrogen plasma

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F07%3A00089695" target="_blank" >RIV/67985882:_____/07:00089695 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Photoluminescence properties of GaSb epitaxial layers passivated in hydrogen plasma

  • Original language description

    Undoped and Si-doped GaSb layers grown by low pressure MOVPE have been treated in hydrogen plasma and the effect of this treatment on photoluminescent (PL) and electrical properties is presented. The hydrogenation of layers grown at Sb rich conditions results in nearly complete quenching of the PL line peaking at 896.5 meV, denoted in the literature as BE4. The origin of the BE4 line is ascribed to radiative recombination of excitons bound to a bare gallium vacancy.

  • Czech name

    Fotoluminiscenční vlastnosti epitaxních vrstev GaSb pasivovaných ve vodíkové plasmě

  • Czech description

    Čisté vrstvy GaSb a vrstvy dotované Si byly připraveny pomocí nízkotlaké MOVPE technologie. Připravené vrstvy byly pasivované ve vodíkové plasmě a byl zkoumán vliv pasivace na fotoluminiscenční (FL) a elektrické vlastnosti vrstev. Pasivace vzorků vypěstovaných v podmínkách obohacené koncentrace Sb vede k téměř úplnému utlumení FL čáry s maximem na 896.5 meV,uváděnou v literaturě jako BE4. Původ této čáry BE4 je poprvé interpretován jako zářivá rekombinace excitonů vázaných na volných vakancích galia (Ga).

Classification

  • Type

    J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/ME%20834" target="_blank" >ME 834: III-V nanostructures/heterostructures grown on lattice mismatechd substrates</a><br>

  • Continuities

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2007

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Name of the periodical

    Physica Status Solidi. A

  • ISSN

    0031-8965

  • e-ISSN

  • Volume of the periodical

    204

  • Issue of the periodical within the volume

    4

  • Country of publishing house

    DE - GERMANY

  • Number of pages

    4

  • Pages from-to

    1030-1033

  • UT code for WoS article

  • EID of the result in the Scopus database