Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F05%3A00022411" target="_blank" >RIV/68081731:_____/05:00022411 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study

Original language description

High resolution imaging of doped areas in semiconductors with slow electrons is one of hot topics for both solid state physics and technology. Recent study employing the scanning low energy electron microscope demonstrated a high image contrast of dopants but only low attention has been devoted to the photoemission electron-microscopic (PEEM) imaging of these structures. Previous works ascribed the crucial role to local differences in the photoemission threshold while the present study claims the contrast more likely coming from local differences in absorption of hot electrons due to pair generation.

Czech name

Mapování dopantů v polovodičích: studium pomocí PEEM

Czech description

Zobrazení dopovaných oblastí polovodiče pomocí pomalých elektronů s vysokým rozlišením je jedním z aktuálních témat výzkumu ve fyzice pevné fáze i v technologiích. Nedávná práce používající rastrovací mikroskopii pomalými elektrony prokázala vysoký obrazový kontrast dopantů, nicméně jen malá pozornost byla doposud věnována fotoemisnímu elektronově mikroskopickému zobrazení těchto struktur. Jestliže minulé studie připisovaly rozhodující úlohu místním rozdílům v úrovni prahu fotoemise, zde předložené výsledky naznačují, že kontrast spíše pochází od lokální variability absorpce horkých elektronů prostřednictvím generace párů.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Proceedings - Microscopy Conference 2005 - Dreiländertagung /6./

ISBN

1019-6447

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

1

Pages from-to

321

Publisher name

Paul Scherrer Institute

Place of publication

Villigen

Event location

Davos

Event date

Aug 28, 2005

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—