The Dopant Contrast ? A Challenge to Electron Microscopy
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00049009" target="_blank" >RIV/68081731:_____/06:00049009 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
The Dopant Contrast ? A Challenge to Electron Microscopy
Original language description
Results obtained when imaging doped areas in silicon by means of various electron microscopical methods are reviewed. These include secondary electron imaging in the conventional SEM and SEM equipped with the cathode lens, imaging with very slow backscattered electrons by means of the cathode lens, and imaging in a photoelectron emission microscope. It is suggested that important role in the contrast formation plays local differences in the absorption of excited hot electrons on their trajectories toward surface.
Czech name
Kontrast dopantu ? otázka pro elektronovou mikroskopii
Czech description
Je podán přehled výsledků získaných při zobrazování dopovaných oblastí v křemíku pomocí různých elektronově mikroskopických metod. Pojednáno je o zobrazování sekundárními elektrony v konvenčním rastrovacím elektronovém mikroskopu a v tomtéž mikroskopu vybaveném katodovou čočkou, zobrazování pomocí velmi pomalých zpětně odražených elektronů za pomoci katodové čočky, a zobrazování ve fotoelektronovém emisním mikroskopu. Naznačena je důležitá úloha místních rozdílů v intenzitě absorpce excitovaných horkýchelektronů podél jejich trajektorie směrem k povrchu v mechanismu vzniku obrazového kontrastu.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation
ISBN
80-239-6285-X
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
19-22
Publisher name
ISI AS CR
Place of publication
Brno
Event location
Skalský dvůr
Event date
May 22, 2006
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—