High Resolution Imaging by Means of Backscattered Electrons in the Scanning Electron Microscope

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00092197" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00092197 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
High Resolution Imaging by Means of Backscattered Electrons in the Scanning Electron Microscope
Original language description
This paper deals with imaging by means of backscattered electrons in the high resolution scanning electron microscopy. Possible backscattered electrons detection systems are outlined and one of the most efficient, the high take of angle single crystal scintillation detector, is described in detail. Its advantages and disadvantages are discussed and the comparison with the secondary electron detection modes is shown. The high resolution micrographs taken by the backscattered electron detector as well asby the secondary electron detectors are displayed.
Czech name
Zobrazování s vysokým rozlišením pomocí zpětně odražených elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu
Czech description
Článek je o zobrazování s vysokým rozlišením v REM prostřednictvím zpětně odražených elektronů. Jsou diskutovány výhody a nevýhody a srovnání s modem detekce sekundárních elektronů. Jsou ukázána zobrazení pořízené pomocí BSE a rovněž SE.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)