Detection Strategies for Collection of Secondary Electrons in SEM

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00092207" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00092207 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Detection Strategies for Collection of Secondary Electrons in SEM

Original language description

In the scanning electron microscope (SEM), the secondary electrons (SE) are usually detected by the Everhart-Thornley (ET) type detector, using a weak electrostatic field to attract low energy SE let us call it the standard system. This principle is employed for more than forty years. Modern SEMs achieve their improved image resolution by allowing the strong magnetic field of the objective lens (OL) to penetrate to the specimen surface (so called immersion system). Two SE detectors are usually used in this case: one is below the OL just as the standard ET detector (lower detector) and the other is positioned above the OL (upper detector). The final contrast of SE images for the same specimen varies with the energy and angular sensitivity of the detectors, connected with specific distributions of the electrostatic and magnetic fields in the specimen region.

Czech name

Detekční strategie pro sběr sekundárních elektronů v REM

Czech description

Sekundární elektrony (SE) jsou v rastrovacím elektronovém mikroskopu (REM) obvykle detekovány pomocí Everhartova-Thornleyho (ET) detektoru, jehož slabé elektrostatické pole přitahuje nízko energiové SE; takový systém nazveme standardní. Tento systém se používá více než 40 let. Moderní REM dosahují zlepšení obrazového rozlišení vlivem silného magnetického pole objektivové čočky, které proniká do oblasti vzorku (tzv. imerzní systém). V tomto případě se obvykle používají dva SE detektory: jeden umístěný pod objektivem (spodní detektor) a druhý se nachází uvnitř objektivu (horní detektor). Výsledný kontrast obrazu sekundárních elektronů stejného vzorku se mění s energiovou a úhlovou citlivostí detektoru, v závislosti na rozložení elektrostatického a magnetického pole v okolí vzorku. Studium sběrové účinnosti jednotlivých detektorů je nezbytné pro správnou interpretaci pozorovaného kontrastu.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA102%2F05%2F2327" target="_blank" >GA102/05/2327: Direct imaging of the dopant distribution in a semiconductor by means of low energy clectrons</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Proceedings of the 8th Multinational Congress on Microscopy

ISBN

978-80-239-9397-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

2

Pages from-to

91-92

Publisher name

Czechoslovak Microscopy Society

Place of publication

Prague

Event location

Prague

Event date

Jun 17, 2007

Type of event by nationality

EUR - Evropská akce

UT code for WoS article

—