Application of laser ion source for ion implantation technology

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00025514" target="_blank" >RIV/68378271:_____/05:00025514 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Application of laser ion source for ion implantation technology

Original language description

The laser-produced plasma has been used as a source of ions with different charge states and with different kinetic energies for ion implantation into various materials: metals, polymers and semiconductors, in order to modify their properties. The implantation depth was measured using Rutherford backscattering spectroscopy (RBS)

Czech name

Použití laserového zdroje iontů pro technologii iontové implantace

Czech description

Laserové plazma bylo využito jako zdroj iontů o různých nábojových číslech a s různou kinetickou energií pro implantaci iontů do různých materiálů (kovů, polymerů a polovodičů) s cílem modifikovat jejich vlastnosti. Hloubka implantace byla měřena RBS spektroskopií (Ruthefordův zpětný rozptyl)

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BH - Optics, masers and lasers

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Volume of the periodical

78

Issue of the periodical within the volume

-

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

4

Pages from-to

435-438

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—