Characteristics of laser-produced Ge ion streams used for modification of semiconductor materials

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00032108" target="_blank" >RIV/68378271:_____/05:00032108 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Characteristics of laser-produced Ge ion streams used for modification of semiconductor materials
Original language description
The modification of semiconductors materials as Si and SiO2 by laser-generated Ge ion streams is described. Ge ions were produced by different lasers, and various ion diagnostics were used to optimize the process
Czech name
Charakteristiky proudu laserem produkovaných Ge iontů užívaných pro modifikaci polovodičových materiálů
Czech description
Je popsána modifikace polovodičových materiálů Si a SiO2 pomocí proudu iontů Ge generovaných laserem. Ge ionty byly generovány pomocí různých laserů a různé iontové diagnostiky byly použity k optimalizaci procesu.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BH - Optics, masers and lasers
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)