RBS analysis of ions implanted in light substrates exposed to hot plasmas laser-generated at PALS

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00032159" target="_blank" >RIV/68378271:_____/05:00032159 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
RBS analysis of ions implanted in light substrates exposed to hot plasmas laser-generated at PALS
Original language description
Ge and Ta ion implantation into silicon and carbon substrates using plasma generated by third harmonic frequency of the iodine laser at PALS in Prague was performed. The RBS spectra shown depth profiles of ion implanted species and implanted doses as a function of the laser intensity, angular position and target distance from the plasma. Measurements of depth profiles indicated that ions with energy ranging from 100keV to 10MeV and doses of 1014-16/cm2 were implanted into different samples.
Czech name
RBS analýza iontů implantovaných do lehkých podložek vystavených horkému plazmatu, generovaném laserem PALS
Czech description
Implantace Ge a Ta iontů do křemíkových a uhlíkových podložek byla realizována pomocí plazmatu generovaného 3. harmonickou frekvencí jodového laseru PALS v Praze. Z RBS spekter byly získány hloubkové profily implantovaných iontů a jejich dekonvolucí stanoveno energetické spektrum iontů. Implantované ionty měly energii od 100 keV do 10 MeV, dávka iontů 1014-16/cm2 na vzorek.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BH - Optics, masers and lasers
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/LC528" target="_blank" >LC528: Centre of Laser Plasma</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)