Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00054548" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00054548 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates

Original language description

Due to the development and growing demends for inplantation techniques, the laser plasma as a source of multiply charged ions been investigated. This experiment concerned the characterization and optimization of laser produced Ge ion fluxes as well as the analysis of the direct implantation of these ions into SiO2 films prepared on the surface of a Si single crystal in the bulk profiles of Ge ion implantation with maximum depth of similar to 450 nm

Czech name

Přímá implantace Ge iontů, produkovaných laserovými pulsy o velké energii a nízké intensitě, do SiO2 vrstev na Si podložkách

Czech description

Vzhledem k vývoji a rostoucím požadavkům na implantační techniky bylo zkoumáno laserové plazma jako zdroj vícenásobných iontů. Experimenty zahrnují stanovení charakteristik a optimalizaci toku laserem produkovaných Ge iontů a analysy přímé implantace těchto iontů do SiO2 vrstev na povrchu Si krystalu|. Objemový profil implantovaných Ge iontů má maximální hloubku 450 nm

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BH - Optics, masers and lasers

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/LC528" target="_blank" >LC528: Centre of Laser Plasma</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Physica Scripta

ISSN

0031-8949

e-ISSN

—

Volume of the periodical

T123

Issue of the periodical within the volume

-

Country of publishing house

SE - SWEDEN

Number of pages

4

Pages from-to

148-181

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—