All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Multilayer semiconductor structure for photoelectric devices

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00520192" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00520192 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

    <a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení

  • Original language description

    Podstata vynálezu spočívá ve využití samouspořádané trojice kvantových teček (KT) kombinované ze dvou polovodičových materiálů InAs a GaAsSb pro efektivní absorpci světla, generaci páru elektron-díra a pro jejich rychlou separaci, která zabrání zpětné rekombinaci vygenerovaných nosičů náboje a tím efektivitu generace fotoproudu. Trojici KT tvoří jedna InAs KT pro lokalizaci elektronů a nad ní dvojice GaAsSb KT pro lokalizaci děr. InAs KT a GaAsSb KT jsou od sebe odděleny tenkou vrstvou GaAs nebo GaAsSb. K zesílení tvorby GaAsSb KT dochází, jestliže je pod InAs vrstvou deponována asi 1-3 nm tenká InGaAs podkladová vrstva. Struktura je vhodná pro zabudování do fotodiod, solárních článků nebo tandemových solárních článků pro absorpci světla ve spektrální oblasti 1100-1500 nm. Struktura zvyšuje efektivitu generace fotoproudu tím, že účinně potlačuje zpětnou rekombinaci generovaných nosičů náboje.

  • Czech name

    Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení

  • Czech description

    Podstata vynálezu spočívá ve využití samouspořádané trojice kvantových teček (KT) kombinované ze dvou polovodičových materiálů InAs a GaAsSb pro efektivní absorpci světla, generaci páru elektron-díra a pro jejich rychlou separaci, která zabrání zpětné rekombinaci vygenerovaných nosičů náboje a tím efektivitu generace fotoproudu. Trojici KT tvoří jedna InAs KT pro lokalizaci elektronů a nad ní dvojice GaAsSb KT pro lokalizaci děr. InAs KT a GaAsSb KT jsou od sebe odděleny tenkou vrstvou GaAs nebo GaAsSb. K zesílení tvorby GaAsSb KT dochází, jestliže je pod InAs vrstvou deponována asi 1-3 nm tenká InGaAs podkladová vrstva. Struktura je vhodná pro zabudování do fotodiod, solárních článků nebo tandemových solárních článků pro absorpci světla ve spektrální oblasti 1100-1500 nm. Struktura zvyšuje efektivitu generace fotoproudu tím, že účinně potlačuje zpětnou rekombinaci generovaných nosičů náboje.

Classification

  • Type

    P - Patent

  • CEP classification

  • OECD FORD branch

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/LO1603" target="_blank" >LO1603: Centre of Technology and Advanced Structure Analysis of Materials with Application Impact</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2019

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Patent/design ID

    307941

  • Publisher

    CZ001 -

  • Publisher name

    Industrial Property Office

  • Place of publication

    Prague

  • Publication country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Date of acceptance

    Jul 25, 2019

  • Owner name

    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

  • Method of use

    A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

  • Usage type

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence