Multilayer semiconductor structure for photoelectric devices
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00520192" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00520192 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307941.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení
Original language description
Podstata vynálezu spočívá ve využití samouspořádané trojice kvantových teček (KT) kombinované ze dvou polovodičových materiálů InAs a GaAsSb pro efektivní absorpci světla, generaci páru elektron-díra a pro jejich rychlou separaci, která zabrání zpětné rekombinaci vygenerovaných nosičů náboje a tím efektivitu generace fotoproudu. Trojici KT tvoří jedna InAs KT pro lokalizaci elektronů a nad ní dvojice GaAsSb KT pro lokalizaci děr. InAs KT a GaAsSb KT jsou od sebe odděleny tenkou vrstvou GaAs nebo GaAsSb. K zesílení tvorby GaAsSb KT dochází, jestliže je pod InAs vrstvou deponována asi 1-3 nm tenká InGaAs podkladová vrstva. Struktura je vhodná pro zabudování do fotodiod, solárních článků nebo tandemových solárních článků pro absorpci světla ve spektrální oblasti 1100-1500 nm. Struktura zvyšuje efektivitu generace fotoproudu tím, že účinně potlačuje zpětnou rekombinaci generovaných nosičů náboje.
Czech name
Vícevrstvá polovodičová struktura pro fotoelektrická zařízení
Czech description
Podstata vynálezu spočívá ve využití samouspořádané trojice kvantových teček (KT) kombinované ze dvou polovodičových materiálů InAs a GaAsSb pro efektivní absorpci světla, generaci páru elektron-díra a pro jejich rychlou separaci, která zabrání zpětné rekombinaci vygenerovaných nosičů náboje a tím efektivitu generace fotoproudu. Trojici KT tvoří jedna InAs KT pro lokalizaci elektronů a nad ní dvojice GaAsSb KT pro lokalizaci děr. InAs KT a GaAsSb KT jsou od sebe odděleny tenkou vrstvou GaAs nebo GaAsSb. K zesílení tvorby GaAsSb KT dochází, jestliže je pod InAs vrstvou deponována asi 1-3 nm tenká InGaAs podkladová vrstva. Struktura je vhodná pro zabudování do fotodiod, solárních článků nebo tandemových solárních článků pro absorpci světla ve spektrální oblasti 1100-1500 nm. Struktura zvyšuje efektivitu generace fotoproudu tím, že účinně potlačuje zpětnou rekombinaci generovaných nosičů náboje.
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
—
OECD FORD branch
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Result continuities
Project
<a href="/en/project/LO1603" target="_blank" >LO1603: Centre of Technology and Advanced Structure Analysis of Materials with Application Impact</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2019
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
307941
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Jul 25, 2019
Owner name
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence