Monitoring of carrier lifetime distribution in high power semiconductor device technology

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03147139" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03147139 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Monitoring of carrier lifetime distribution in high power semiconductor device technology

Original language description

Non-uniform distribution of carrier lifetime over the area of power bipolar semiconductor devices results in a non-uniform distribution of on-state current density and switching loses. Consequently, it results in non-uniform temperature distribution which can negatively influence the device reliability. Several methods can be used for measuring carrier lifetime distribution both in starting single crystal material and in device structures after high-temperature processes. Advantages and disadvantages ofindividual methods and an optimum area of applications are discussed in this paper. This paper is mostly oriented on a possibility to use LBIC method for measuring carrier lifetime distribution in the bulk of high voltage large area devices, especiallyN+NPP+ diode structures.

Czech name

Monitorování rozložení doby života nosičů v technologii výkonových polovodičových součástek

Czech description

Nehomogenní rozložení doby života nosičů ve strukturách výkonových polovodičových součástek nepříznivě ovlivňuje paranetry součástek a může nepříznivě ovlivnit jejich spolehlivost. V článku jsou diskutovány možnosti různých metod stanovení rozložení dobyživota nosičů, jejicj výhody i nevýhody. Podrobně je diskutována možnost použití metoda LBIC pro měření rozložení doby života nosičů v objemu vysokonapěťových součástek, zejména N+NPNP+ diod

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Microelectronics Journal

ISSN

0026-2692

e-ISSN

—

Volume of the periodical

39

Issue of the periodical within the volume

6

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

6

Pages from-to

—

UT code for WoS article

000256982500006

EID of the result in the Scopus database

—