Simulation of properties InAs/GaAs quamtum dots

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F12%3A00197917" target="_blank" >RIV/68407700:21340/12:00197917 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Simulace vlastností InAs/GaAs kvantových teček

Original language description

Teoretické simulace jsou velmi důležité pro pochopení a předpovídání různých fyzikálních procesů v kvantových strukturách. Pomocí programu Nextnano byly v závislosti na obsahu antimonu v GaAsSb vrstvě redukující pnutí (Strain Reducing Layer, SRL) překrývající InAs/GaAs kvantové tečky (Quantum Dot, QD) nasimulovány tyto vlastnosti: pásová struktura, vzdálenosti energetických hladin elektronů a děr pro různé velikosti QD a různé složení GaAsSb SRL a hustoty pravděpodobnosti výskytu elektronů a děr. Pomocívýsledků byla též interpretována dynamika zachycení elektronů a děr v QD, případně v GaAsSb SRL.

Czech name

Simulace vlastností InAs/GaAs kvantových teček

Czech description

Teoretické simulace jsou velmi důležité pro pochopení a předpovídání různých fyzikálních procesů v kvantových strukturách. Pomocí programu Nextnano byly v závislosti na obsahu antimonu v GaAsSb vrstvě redukující pnutí (Strain Reducing Layer, SRL) překrývající InAs/GaAs kvantové tečky (Quantum Dot, QD) nasimulovány tyto vlastnosti: pásová struktura, vzdálenosti energetických hladin elektronů a děr pro různé velikosti QD a různé složení GaAsSb SRL a hustoty pravděpodobnosti výskytu elektronů a děr. Pomocívýsledků byla též interpretována dynamika zachycení elektronů a děr v QD, případně v GaAsSb SRL.

Type

O - Miscellaneous

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Publication year

2012

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů