SiC-PM: Výzkum a vývoj polovodičového fotonásobiče na karbidu křemíku
Veřejná podpora
Poskytovatel
Ministerstvo průmyslu a obchodu
Program
Operační program Technologie a aplikace pro konkurenceschopnost (2021-2027)
Veřejná soutěž
—
Hlavní účastníci
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Druh soutěže
OP - Operační program EU
Číslo smlouvy
1MPO 87473/26/21600
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
SiC-PM: Research and Development of Semiconductor Photomultiplier on Silicon Carbide
Anotace anglicky
R&D of an n-type 4H-SiC-based semiconductor photomultiplier with high radiation resistance and low noise. The R&D activities include device design, characterization of electrical and optical properties, and performance testing. The manufacturing process on a p-SiC substrate will also be developed, including the implementation of an epitaxial layer and the design of the diode structure. The results will contribute to the development of detection technologies for high-energy applications, space missions, the nuclear industry, and automation.
Vědní obory
Kategorie VaV
AP - Aplikovaný výzkum
OECD FORD - hlavní obor
20201 - Electrical and electronic engineering
OECD FORD - vedlejší obor
—
OECD FORD - další vedlejší obor
—
CEP - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika<br>JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2026
Ukončení řešení
30. 6. 2028
Poslední stav řešení
Z - Začínající víceletý projekt
Poslední uvolnění podpory
—
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP26-MPO-EI-R
Datum dodání záznamu
25. 9. 2026
Finance
Celkové uznané náklady
114 987 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
0 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
31 176 tis. Kč