Implementace efektivní technologie nanášení tenkých pasivačních a antireflexních vrstev do výroby krystalických solárních článků
Cíle projektu
Pasivační a antireflexní vrstvy solárních článků vyráběných firmou Solartec jsou v současnosti realizovány stechiometrickým nitridem křemíku (Si3N4), rostoucím na křemíkových substrátech za podmínek nízkého tlaku a velmi vysokých teplot (900C) z plynné fáze dichlorsilanu a čpavku. Vysoké procesní teploty mají za následek nevratnou degradaci elektronických vlastností výchozích substrátů, které v důsledku výrazně omezují výslednou účinnost solárního článku. Předkládaný projekt řeší problematiku depozice tenkých pasivačních a antireflexních vrstev výzkumem v oblasti technologie, založené na bázi magnetronového naprašování. V podmínkách nizkoteplotního plazmatu je možné realizovat depozice široké škály vhodných materiálů, kde výhodou je především kontrolovatelnost celého procesu, určení přesného složení vytvářených vrstev a snadná reprodukovatelnost. Součástí projektu je i výzkum nechemického čištění křemíkových desek těsně před depozicí za pomoci vodíkových radikálů aktivovaných plazmatem.
Klíčová slova
magnetron sputteringpassivation layersantireflection coatingplasma-etchingthin layerssputtered layerscrystalline silicon solar cellsphotovoltaic
Veřejná podpora
Poskytovatel
Ministerstvo průmyslu a obchodu
Program
TIP
Veřejná soutěž
TIP 1 (SMPO2009/01)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
FR-TI1/603
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Effective coating technology of thin passivation and antireflection layers for production of crystalline solar cells
Anotace anglicky
At present, the passivation and antireflection layers of crystalline silicon solar cells (produced by Solartec) are realized by stoichiometric silicon nitride (Si3N4) films grown on silicon substrate under low pressure and relative high temperature conditions from the gas mixture of dichlorsilane and ammonia. During this LP CVD process electronic properties of the silicon wafers usually degrade mainly due to high temperature. Proposed project deals with deposition of such layers by a new technology based on the magnetron sputtering system. Under conditions of low-temperature plasma a broad-spectrum of suitable materials can be deposited by this well-controllable process depending on the sputtering targets used. Research of the in-situ non-chemical cleaning of silicon wafers by means of hydrogen radicals generated by plasma just before the deposition process is another complementary part of this project.
Vědní obory
Kategorie VaV
AP - Aplikovaný výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
JP - Průmyslové procesy a zpracování
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)20201 - Electrical and electronic engineering
20501 - Materials engineering
20705 - Remote sensing
20706 - Marine engineering, sea vessels
20707 - Ocean engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Výsledkem řešení projektu jsou ověřené technologie plazmo-chemického čištění povrchu a naprašování tenkých dialektrických antireflexních a pasivačních vrstev na povrchy krystalických křemíkových lolárních článků určencých pro estetické aplikace.
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 10. 2009
Ukončení řešení
30. 9. 2013
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
29. 3. 2013
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP14-MPO-FR-U/02:2
Datum dodání záznamu
17. 7. 2014
Finance
Celkové uznané náklady
27 399 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
18 849 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
8 549 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
27 399 tis. Kč
Statní podpora
18 849 tis. Kč
68%
Poskytovatel
Ministerstvo průmyslu a obchodu
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Doba řešení
01. 10. 2009 - 30. 09. 2013