Detektor jednotlivých fotonů pro blízkou infračervenou oblast
Cíle projektu
Navrhovaný projekt je logickým i věcným pokračováním projektu "Optický detektor pro monitory v ekologii" řešeného za podpory GAČR 102/97/0429 v letech 1997-99. Cílem navrhovaného projektu bude vyvinout polovodičový detektor jednotlivých fotonů, který buddetekovat v rozsahu vlnových délek 1 - 2 um s pikosekundovým časovým rozlišením. Detektor se bude skládat z lavinové diody, řídícího obvodu a pouzdra s chlazením, bude vyvinut na základě analogie s existujícím detektorem na bázi křemíku. Konstrukce novélavinové diody na bázi InGaAs bude podporována existujícími technologiemi semi-izolačního substrátu a epitaxní vrstvy InGaAs, bude využito technologií struktur bude provedeno srovnání vertikální a horizontální struktury lavinové diody. Výsledky řešení úkolů grantu přispějí k dalšímu rozvoji technologie v oboru pevnolátkových detektorů jednotlivých fotonů s pikosekundovou rozlišovací schopností. Dostupnost polovodičového detektoru jednotlivých fotonů s vysokým časovým rozlišením otevírá řadu nových
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 1 (SGA02002GA-ST)
Hlavní účastníci
České vysoké učení technické v Praze / Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
—
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Photon counting detector for the near infrared
Anotace anglicky
The nominated Project is a logical prolongation of the project "Optical detector far ecology monitors" supported by the GACR grant No.102/97/0429 in 1997-99.The goal of the project is to develop solid state photon counting detector with picosecond timingresolution and sensitive in the spectral range 1-2 um. The detector will consist of an avalanche photodiode, electronic control circuit and a housing with optional cooling. The construction of the special detection diode on InGaAs will be based on existing and available technologies: semi-insulation substrate, epitax grow of InGaAs, electron litography. Both the horizontal and vertical diode structure will be investigated. The results of the project will contribute to the solid state detector technology, the photon counting devices construction and characteristics. The availability of the photon counter with picosecond timing resolution operating in the 1-2 um spectral range will open new possibilities in various disciplines: laser ranging on
Vědní obory
Kategorie VaV
—
CEP - hlavní obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
CEP - vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - další vedlejší obor
DC - Seismologie, vulkanologie a struktura Země
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10507 - Volcanology
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Odborný přínos projektu spočívá v systematickém výzkumu různých typů detektorů jednotlivých fotonů pro blízkou infračervenou oblast, v jejich klasifikaci a optimalizaci pro jednotlivá použití v kosmické technice a ve spektroskopii. Byly optimalizovány la
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2000
Ukončení řešení
1. 1. 2002
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
—
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP/2003/GA0/GA03GA/U/N/9:7
Datum dodání záznamu
19. 5. 2008
Finance
Celkové uznané náklady
1 280 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
960 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
1 280 tis. Kč
Statní podpora
960 tis. Kč
75%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
Doba řešení
01. 01. 2000 - 01. 01. 2002