Detektor jednotlivých fotonů na bázi GeSi
Cíle projektu
Navrhovaný projekt je logickým i věcným pokračováním projektu "Detektor jednotlivých fotonů pro blízkou infračervenou oblast" řešeného za podpory GAČR 102/00/0820 v letech 2000-2002. Cílem navrhovaného projektu je vyvinout polovodičový detektorjednotlivých fotonů, který bude detekovat v rozsahu vlnových délek 400 až 1600 nanometrů s pikosekundovým časovým rozlišením na bázi GeSi. Detektor se bude skládat z lavinové diody a elektronického řídícího obvodu. Bude vyvinut na základě analogie sexistujícím detektorem na bázi křemíku. Konstrukce lavinové fotodiody na bázi GeSi je pokračování vývoje zahájeného v devadesátých letech, tehdy byl slibně se rozbíhající vývoj utlumen omezeními v technologii přípravy substrátů GeSi: nebyly dostupnésubstráty s dostatečně vysokou koncentrací Ge (desítky procent) a zároveň s homogenitou požadovanou pro konstrukci detektorů jednotlivých fotonů. Tato omezení padla v roce 2002, naše skupina získala první vzorky substrátů GeSi, které jsou perspektivních
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 2 (SGA02003GA-ST)
Hlavní účastníci
České vysoké učení technické v Praze / Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
—
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
GeSi based photon counting detector
Anotace anglicky
The proposed project is both logical and technical extension of the project "Photon counting detector for the near infrared" supported by the grant 102/00/0820 in 2000-2002. The goal of the project is to develop solid state photon counter, which will beable to detect in the wavelength range of 400 to 1600 nanometers with picosecond timing resolution on the basis of GeSi. The detector will consist of the avalanche photodiode and an electronics active quenching and gating circuit. It will be based on ananalogy to the previously developed detectors on Silicon. The construction of the GeSi based detector is the prolongation of the research conducted in nineties. That time, the research has been slowed down due to the lack of the availability of suitableGeSi material of sufficient Ge concentration and mono-crystal uniformity required for detector construction. These limitations have are over in 2002, our group acquired GeSi waver samples, which are expected to be suitable for photon counting detectors
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
CEP - další vedlejší obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Byl vyvinut a testován polovodičový detektor jednotlivých fotonů na bázi GeSi. Hlavním výsledkem je technologie přípravy lavinové diodové struktury na bázi epitaxní vrstvy GeSi na křemíkové podložce. Byly provedeny technologické testy a nalezeny nové pos
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2003
Ukončení řešení
1. 1. 2005
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
—
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP06-GA0-GA-U/07:6
Datum dodání záznamu
15. 1. 2009
Finance
Celkové uznané náklady
1 920 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
960 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
960 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
1 920 tis. Kč
Statní podpora
960 tis. Kč
50%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Doba řešení
01. 01. 2003 - 01. 01. 2005