Detektor jednotlivých fotonů na bázi GeSi

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 2 (SGA02003GA-ST)

Hlavní účastníci

České vysoké učení technické v Praze / Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

GeSi based photon counting detector

Anotace anglicky

The proposed project is both logical and technical extension of the project "Photon counting detector for the near infrared" supported by the grant 102/00/0820 in 2000-2002. The goal of the project is to develop solid state photon counter, which will beable to detect in the wavelength range of 400 to 1600 nanometers with picosecond timing resolution on the basis of GeSi. The detector will consist of the avalanche photodiode and an electronics active quenching and gating circuit. It will be based on ananalogy to the previously developed detectors on Silicon. The construction of the GeSi based detector is the prolongation of the research conducted in nineties. That time, the research has been slowed down due to the lack of the availability of suitableGeSi material of sufficient Ge concentration and mono-crystal uniformity required for detector construction. These limitations have are over in 2002, our group acquired GeSi waver samples, which are expected to be suitable for photon counting detectors

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

CEP - další vedlejší obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Byl vyvinut a testován polovodičový detektor jednotlivých fotonů na bázi GeSi. Hlavním výsledkem je technologie přípravy lavinové diodové struktury na bázi epitaxní vrstvy GeSi na křemíkové podložce. Byly provedeny technologické testy a nalezeny nové pos

Zahájení řešení

1. 1. 2003

Ukončení řešení

1. 1. 2005

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP06-GA0-GA-U/07:6

Datum dodání záznamu

15. 1. 2009

Celkové uznané náklady

1 920 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

960 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

960 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč