Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 8 (SGA02005GA-ST)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

102/05/2095

Název projektu anglicky

Noise sources in semiconductor materials and devices

Anotace anglicky

The objective of this project is experimental investigations of the nature of the 1/f noise, if the source is mobile carrier number fluctuations or a fluctuation in the mobility. Experiments will be performed in low frequency range, where the 1/f noise is dominant, for three classes of samples: 1. macroscopic devices with large active volume - CdTe crystalline detectors, 2. submicron structures as MOSFETs and HEMTs and 3. nanoscale devices - on InGaAs quantum dots. There are a low number of carriers inthe active volume of those nanoscale devices; therefore it is supposed that 1/f noise will be dominant. The influence of low dimensional electron gas on 1/f noise will be analysed. Thus new valuable experimental results of noise spectral density and its relation to the electron gas characteristics, like charge carriers mean free path, mobility, dependence on temperature, light illumination and electric field intensity will be obtained. The research will, in this way, contribute to deeper cognition of

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Záměrem tohoto projektu bylo určit příčiny vzniku nízkofrekvenčního šumu ve strukturách MOS a senzorech elektromagnetického a korpuskulárního záření na bázi CdTe. Experimentální studium bylo realizováno pro: 1. makroskopické vzorky s velkým objemem aktiv

Zahájení řešení

1. 1. 2005

Ukončení řešení

31. 12. 2007

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

2. 5. 2007

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP08-GA0-GA-U/04:3

Datum dodání záznamu

16. 12. 2008

Celkové uznané náklady

1 997 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 997 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč